[实用新型]一种半导体二极管的新型结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子信息技术领域，特别涉及一种半导体二极管的新型结构。 

背景技术

半导体二极管是一种具有两个电极的电子元器件，内部有一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，只允许电流由单一方向流过，一般应用于电流整流方面，可以使交流电流变为直流电流。 

二极管通过电流的大小，取决于内部P型半导体和N型半导体形成的PN结的面积。由于成本、芯片加工工艺、封装体积及成本的限制，芯片面积不可能无限加大。因此对于大功率整流二极管，只有提高单位芯片面积的电流通过能力，即在芯片面积保持不变的情况下增大PN结的面积才能在保持成本不变的情况下通过更大的电流。现有二极管内部的P型半导体和N型半导体的结合面均为平面，PN结的面积与芯片的面积相同，为了适应各行业的需求，故有必要对现有二极管内部PN结的结合面结构进行进一步地技术革新。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种结构简单，设计合理、易于生产加工的半导体二极管的新型结构。 

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是： 

本实用新型所述的一种半导体二极管的新型结构，包括P型极、N型极 和PN结，PN结设置在P型极和N型极之间；所述PN结由若干个凹形排和若干个凸形排组成，凹形排和凸形排相互间隔连接而成。 

采用上述结构后，本实用新型有益效果为：本实用新型所述的一种半导体二极管的新型结构，包括P型极、N型极和PN结，PN结设置在P型极和N型极之间；所述PN结由若干个凹形排和若干个凸形排组成，凹形排和凸形排相互间隔连接而成。在使用本实用新型时，通过将平面形的PN结变为多个弧面组成的PN结，从而实现了通过增大PN结面积来提高了电流密度的目的。本实用新型具有结构简单，设置合理，制作成本低等优点。 

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图； 

图2是PN结的立体图； 

图3是第一块光刻版的结构示意图； 

图4是第二块光刻版的结构示意图； 

附图标记说明： 

1、P型极；2、N型极；3、PN结；3-1、凹形排；3-2、凸形排； 

41、第一块光刻版；42、第二块光刻版。 

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。 

如图1-2所示，本实用新型所述的一种半导体二极管的新型结构，包括P型极1、N型极2和PN结3，PN结3设置在P型极1和N型极2之间；其特征在于：所述PN结3由若干个凹形排和若干个凸形排组成，凹形排和凸形排相互间隔连接而成。 

需要说明的是：图中的凹形排3-1和凸形排3-2的数量远远不止这几个，该图仅仅是示意图，并不能说明它们的数量就这么多；它们的数量要根据具体的产品型号来确定。 

本实用新型生产过程如下： 

第一步，设计两块如图3、图4的栅状光刻版； 

第二步，首先选择第一块光刻版41制作离子注入窗口，采用低能量完成离子注入；然后选择第二块光刻版42制作离子注入窗口，采用高能量完成离子注入；然后经过高温扩散修复注入损伤并激活离子。为了达到较好的PN结形状，也可以采用不同的能量进行多次离子注入完成。其他工艺与常规二极管生产工艺相同。 

在使用本实用新型时，通过该技术改良后的二极管与传统二极管相比，同样的芯片面积下，电流通过能力会提高20％-25％，从而实现了增大电流密度的目的。另外，该结构简单、设计合理，制造成本低。 

以上所述仅是本实用新型的较佳实施方式，故凡依本实用新型专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均包括于本实用新型专利申请范围内。