[实用新型]功率半导体器件有效
| 申请号： | 201420301639.9 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN204011432U | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | H-J.舒尔策;F.普菲尔施;H.许斯肯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;卢江 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种功率半导体器件，包括：第一导电类型的基底层，具有第二导电类型的下部半导体层；有源区，包括：第二导电类型的本体区；第一导电类型的源极区，位于本体区中；发射极电极，连接到所述源极区；从半导体衬底的顶部向下延伸的沟槽，含有屏蔽电极，所述屏蔽电极连接到所述发射极电极；和栅极，至少部分形成在至少一部分源极区和本体区上方并且与所述屏蔽电极电绝缘；以及边缘终止区，与所述有源区邻接并且包括第二导电类型的终止掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件（100），其特征在于所述功率半导体器件包括：第一导电类型的基底层（30），具有第二导电类型的下部半导体层（20）；有源区，包括： 第二导电类型的本体区（50）； 第一导电类型的源极区（51），位于本体区（50）中； 发射极电极，电连接到所述源极区（51）； 从半导体衬底的顶部向下延伸的沟槽（76），含有屏蔽电极（77），所述屏蔽电极（77）电连接到所述发射极电极；和 栅极（70），至少部分形成在至少一部分源极区和本体区上方并且与所述屏蔽电极电绝缘；以及边缘终止区，与所述有源区邻接并且包括第二导电类型的终止掺杂区（52）。
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