[实用新型]用于电源管理芯片的高精度过温保护电路有效
申请号: | 201420278295.4 | 申请日: | 2014-05-28 |
公开(公告)号: | CN203983951U | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
发明(设计)人: | 吴素华 | 申请(专利权)人: | 万源市海铝科技有限公司 |
主分类号: | H02H5/04 | 分类号: | H02H5/04;H02H7/12 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 636350 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于电源管理芯片的高精度过温保护电路,包括第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、PNP型三极管、第一电阻、第二电阻、第一绝缘栅双极晶体管~第十绝缘栅双极晶体管和直流电源,第一NPN型三极管、第二NPN型三极管和PNP型三极管构成温度检测电路,第一电阻和第二电阻构成过温保护阀值稳定电路,第二NPN型三极管、第一绝缘栅双极晶体管、第二绝缘栅双极晶体管和第五绝缘栅双极晶体管构成反馈迟滞电路。本实用新型所述用于电源管理芯片的高精度过温保护电路,利用三极管的负温度系数来检测芯片的温度变化,通过电阻分压稳定过温保护阀值,运用MOS管反馈关断来消除热震荡,该过温保护电路的精度高、功耗低。 | ||
搜索关键词: | 用于 电源 管理 芯片 高精度 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种用于电源管理芯片的高精度过温保护电路,其特征在于:包括第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、PNP型三极管、第一电阻、第二电阻、第一绝缘栅双极晶体管、第二绝缘栅双极晶体管、第三绝缘栅双极晶体管、第四绝缘栅双极晶体管、第五绝缘栅双极晶体管、第六绝缘栅双极晶体管、第七绝缘栅双极晶体管、第八绝缘栅双极晶体管、第九绝缘栅双极晶体管、第十绝缘栅双极晶体管和直流电源,所述第一NPN型三极管、所述第二NPN型三极管和所述PNP型三极管用于感应所述电源管理芯片的温度变化,所述第一NPN型三极管的基极作为所述过温保护电路的基准电压输入端,所述第一NPN型三极管的发射极与所述第一电阻的第一端连接,所述第一电阻的第二端同时与所述第二电阻的第一端、所述第二NPN型三极管的基极连接,所述第二NPN型三极管的集电极同时与所述第一绝缘栅双极晶体管的漏极、所述第二绝缘栅双极晶体管的漏极、所述PNP型三极管的基极连接,所述第一绝缘栅双极晶体管的栅极同时与所述第三绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第四绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第四绝缘栅双极晶体管的漏极、所述第五绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第六绝缘栅双极晶体管的漏极连接,所述第三绝缘栅双极晶体管的漏极同时与所述第七绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第八绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第九绝缘栅双极晶体管的漏极连接,所述第五绝缘栅双极晶体管的漏极与所述第二绝缘栅双极晶体管的源极连接,所述第九绝缘栅双极晶体管的栅极同时与所述第十绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第十绝缘栅双极晶体管的漏极、所述PNP型三极管的集电极连接,所述直流电源的正极同时与所述第一NPN型三极管的集电极、所述第一绝缘栅双极晶体管的源极、所述PNP型三极管的发射极、所述第三绝缘栅双极晶体管的源极、所述第四绝缘栅双极晶体管的源极、所述第五绝缘栅双极晶体管的源极、所述第七绝缘栅双极晶体管的源极连接,所述直流电源的负极同时与所述第二电阻的第二端、所述第二NPN型三极管的发射极、所述第十绝缘栅双极晶体管的源极、所述第九绝缘栅双极晶体管的源极、所述第六绝缘栅双极晶体管的源极、所述第八绝缘栅双极晶体管的源极连接,所述第六绝缘栅双极晶体管的栅极作为所述过温保护电路的偏置电压输入端,所述第二绝缘栅双极晶体管的栅极同时与所述第七绝缘栅双极晶体管的漏极、所述第八绝缘栅双极晶体管的漏极连接并作为所述过温保护电路的电压输出端。
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