[实用新型]用于电源管理芯片的高精度过温保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种用于电源管理芯片的辅助电路，尤其涉及一种用于电源管理芯片的高精度过温保护电路。

背景技术

随着科学技术的发展，电源管理芯片集成了高压功率输出电路，高压输出电路产生的功耗，会使芯片的温度升高，过高的温升会导致集成器件的失效，甚至损坏芯片，因此需要设计过温保护电路，将温升控制在芯片允许的范围内。过温保护电路利用温度敏感元件来检测芯片内部的温度变化，当温度超过一定值时，保护电路工作，关断系统，以防其损坏。目前的过温保护电路对温度的检测精度不高。

发明内容

针对上述现有技术的不足之处，本实用新型提供一种用于电源管理芯片的高精度低功耗过温保护电路。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

本实用新型所述用于电源管理芯片的高精度过温保护电路，包括第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、PNP型三极管、第一电阻、第二电阻、第一绝缘栅双极晶体管、第二绝缘栅双极晶体管、第三绝缘栅双极晶体管、第四绝缘栅双极晶体管、第五绝缘栅双极晶体管、第六绝缘栅双极晶体管、第七绝缘栅双极晶体管、第八绝缘栅双极晶体管、第九绝缘栅双极晶体管、第十绝缘栅双极晶体管和直流电源，所述第一NPN型三极管、所述第二NPN型三极管和所述PNP型三极管用于感应所述电源管理芯片的温度变化，所述第一NPN型三极管的基极作为所述过温保护电路的基准电压输入端，所述第一NPN型三极管的发射极与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端同时与所述第二电阻的第一端、所述第二NPN型三极管的基极连接，所述第二NPN型三极管的集电极同时与所述第一绝缘栅双极晶体管的漏极、所述第二绝缘栅双极晶体管的漏极、所述PNP型三极管的基极连接，所述第一绝缘栅双极晶体管的栅极同时与所述第三绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第四绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第四绝缘栅双极晶体管的漏极、所述第五绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第六绝缘栅双极晶体管的漏极连接，所述第三绝缘栅双极晶体管的漏极同时与所述第七绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第八绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第九绝缘栅双极晶体管的漏极连接，所述第五绝缘栅双极晶体管的漏极与所述第二绝缘栅双极晶体管的源极连接，所述第九绝缘栅双极晶体管的栅极同时与所述第十绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第十绝缘栅双极晶体管的漏极、所述PNP型三极管的集电极连接，所述直流电源的正极同时与所述第一NPN型三极管的集电极、所述第一绝缘栅双极晶体管的源极、所述PNP型三极管的发射极、所述第三绝缘栅双极晶体管的源极、所述第四绝缘栅双极晶体管的源极、所述第五绝缘栅双极晶体管的源极、所述第七绝缘栅双极晶体管的源极连接，所述直流电源的负极同时与所述第二电阻的第二端、所述第二NPN型三极管的发射极、所述第十绝缘栅双极晶体管的源极、所述第九绝缘栅双极晶体管的源极、所述第六绝缘栅双极晶体管的源极、所述第八绝缘栅双极晶体管的源极连接，所述第六绝缘栅双极晶体管的栅极作为所述过温保护电路的偏置电压输入端，所述第二绝缘栅双极晶体管的栅极同时与所述第七绝缘栅双极晶体管的漏极、所述第八绝缘栅双极晶体管的漏极连接并作为所述过温保护电路的电压输出端。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果：

本实用新型所述用于电源管理芯片的高精度过温保护电路，利用三极管的负温度系数来检测芯片的温度变化，通过电阻分压稳定过温保护阀值，运用MOS管反馈关断来消除热震荡，该过温保护电路的精度高、功耗低。

附图说明

图1是本实用新型所述用于电源管理芯片的高精度过温保护电路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。