[实用新型]一种刻蚀机有效
| 申请号： | 201420154267.1 | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN203760425U | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 刘宇;张琨鹏;王凤国;白妮妮;康峰;高鹏飞;韩帅 | 申请（专利权）人： | 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 017000 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种刻蚀机，所述刻蚀机包括承载极板、M个压力检测装置、上电极板和处理器，所述承载极板用于承载被刻蚀物，所述承载极板包括M个承载区域，所述M为大于等于2的整数；所述M个压力检测装置分别设置于所述M个承载区域上，用于检测所述被刻蚀物承载于所述M个承载区域上的M个部分的M个压力值；所述上电极板包括与所述M个承载区域对应的M个电极部；所述处理器与所述M个压力检测装置连接，用于根据所述M个压力值，控制所述被刻蚀物的M个部分的被刻蚀速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 | ||
【主权项】：
一种刻蚀机，其特征在于，所述刻蚀机包括：承载极板，用于承载被刻蚀物，所述承载极板包括M个承载区域，所述M为大于等于2的整数；M个压力检测装置，分别设置于所述M个承载区域上，用于检测所述被刻蚀物承载于所述M个承载区域上的M个部分的M个压力值；上电极板，包括与所述M个承载区域对应的M个电极部；处理器，与所述M个压力检测装置连接，用于根据所述M个压力值，控制所述被刻蚀物的M个部分的被刻蚀速度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
