[实用新型]一种刻蚀机有效
申请号: | 201420154267.1 | 申请日: | 2014-04-01 |
公开(公告)号: | CN203760425U | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 刘宇;张琨鹏;王凤国;白妮妮;康峰;高鹏飞;韩帅 | 申请(专利权)人: | 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 017000 内蒙古*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 | ||
1.一种刻蚀机,其特征在于,所述刻蚀机包括:
承载极板,用于承载被刻蚀物,所述承载极板包括M个承载区域,所述M为大于等于2的整数;
M个压力检测装置,分别设置于所述M个承载区域上,用于检测所述被刻蚀物承载于所述M个承载区域上的M个部分的M个压力值;
上电极板,包括与所述M个承载区域对应的M个电极部;
处理器,与所述M个压力检测装置连接,用于根据所述M个压力值,控制所述被刻蚀物的M个部分的被刻蚀速度。
2.如权利要求1所述的刻蚀机,其特征在于,所述刻蚀机还包括用于调整刻蚀速度的刻蚀速度调节器,以使得所述被刻蚀物的M个部分在刻蚀前和刻蚀后的重量差值相同;
在所述M个压力值中的一压力值等于一预设值时,所述处理器控制所述刻蚀速度调节器,停止对所述被刻蚀物中与检测该压力值的压力检测装置对应的部分的刻蚀;
在所述M个压力值中的一压力值的变化量大于所述M个压力值中的其它压力值时,所述处理器控制所述刻蚀速度调节器,以降低所述被刻蚀物中与检测该压力值的压力检测装置对应的部分的被刻蚀速度;
在所述M个压力值中的一压力值的变化量小于其它压力值时,所述处理器控制所述刻蚀速度调节器,以升高所述被刻蚀物中与检测该压力值的压力检测装置对应的部分的被刻蚀速度。
3.如权利要求2所述的刻蚀机,其特征在于,所述刻蚀速度调节器具体为气体浓度调节器;
在所述M个压力值中的一压力值的变化量大于其它压力值时,所述处理器控制所述气体浓度调节器,以使得所述承载极板和所述上电极板之间与检测该压力值的压力检测装置对应的区域的浓度降低;
在所述M个压力值中的一压力值的变化量小于其它压力值时,所述处理器控制所述气体浓度调节器,以使得所述承载极板和所述上电极板之间与检测该压力值的压力检测装置对应的区域的浓度升高。
4.如权利要求2所述的刻蚀机,其特征在于,所述刻蚀速度调节器具体为温度调节器;
在所述M个压力值中的一压力值的变化量大于其它压力值时,所述处理器控制所述温度调节器,以使得所述承载极板和所述上电极板之间与检测该压力值的压力检测装置对应的区域的温度降低;
在所述M个压力值中的一压力值的变化量小于其它压力值时,所述处理器控制所述温度调节器,以使得所述承载极板和所述上电极板之间与检测该压力值的压力检测装置对应的区域的温度升高。
5.如权利要求2所述的刻蚀机,其特征在于,所述刻蚀速度调节器具体为电压调节器;
在所述M个压力值中的一压力值的变化量大于其它压力值时,所述处理器控制所述电压调节器,以使得与检测该压力值的压力检测装置对应的所述承载极板和上电极板之间电压减小;
在所述M个压力值中的一压力值的变化量小于其它压力值时,所述处理器控制所述电压调节器,以使得与检测该压力值的压力检测装置对应的所述承载极板和上电极板之间电压增大。
6.如权利要求1-5中任一权利要求所述的刻蚀机,其特征在于,所述刻蚀机还包括压力调节器,在所述刻蚀机刻蚀所述被刻蚀物之前,所述处理器控制所述压力调节器,以将所述M个压力检测装置的M个初始压力值调整为零。
7.如权利要求1-5中任一权利要求所述的刻蚀机,其特征在于,所述刻蚀机还包括清洁装置,在刻蚀完成N个被刻蚀物后,所述M个压力值中一个第一压力值与对应的第二压力值之间的差值大于第二预设值时,所述处理器控制所述清洁装置,对所述承载极板进行清洁,其中,所述N为大于等于1的整数,所述第一压力值为刻蚀所述N个被刻蚀物之前的压力值,所述第二压力值为刻蚀完成所述N个被刻蚀物之后的压力值。
8.如权利要求1-5中任一权利要求所述的刻蚀机,其特征在于,所述承载极板的每个承载区域上凸设有一个或多个用于支撑所述被刻蚀物的弧形凸起。
9.如权利要求1-5中任一权利要求所述的刻蚀机,其特征在于,所述刻蚀机还包括用于固定所述承载极板的固定部。
10.如权利要求9所述的刻蚀机,其特征在于,所述固定部具体为陶瓷块,所述陶瓷块固定于所述承载极板的周缘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造