[实用新型]使用多晶半导体晶片的直接转换型x射线成像探测器有效
| 申请号： | 201420052481.6 | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN203674214U | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 吴召平;佘铭钢 | 申请（专利权）人： | 通用电气（中国）研究开发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张晓明 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种数字x射线探测器，其包括用来将x射线直接转换成电信号的转换体层、以及由用来存储和读取所述电信号的像素化电容和像素化薄膜晶体管组成的有源矩阵。其中，所述转换体层包括多晶片和位于该多晶片两边的用来给该多晶片提供电场的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 多晶 半导体 晶片 接转 换型 射线 成像 探测器 | ||
【主权项】：
一种数字x射线探测器，包括：用来将x射线直接转换成电信号的转换体层、以及由用来存储和读取所述电信号的像素化电容和像素化薄膜晶体管组成的有源矩阵，其特征在于，所述转换体层包括多晶片和位于该多晶片两边的用来给该多晶片提供电场的电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
