[实用新型]使用多晶半导体晶片的直接转换型x射线成像探测器

权利要求书

1.一种数字x射线探测器，包括：用来将x射线直接转换成电信号的转换体层、以及由用来存储和读取所述电信号的像素化电容和像素化薄膜晶体管组成的有源矩阵，其特征在于，所述转换体层包括多晶片和位于该多晶片两边的用来给该多晶片提供电场的电极。

2.如权利要求1所述的一种数字x射线探测器，其特征在于，所述电极包括位于所述多晶片前边的片状电极、以及位于所述多晶片后边的由多个对应所述像素化电容的像素化电极形成的电极矩阵。

3.如权利要求2所述的一种数字x射线探测器，其特征在于，所述片状电极、多晶片、像素化电极、像素化电容和像素化薄膜晶体管沿着x射线的入射方向依次排布。

4.如权利要求2或3所述的一种数字x射线探测器，其特征在于，所述像素化电极与所述像素化电容一一对应，所述像素化电容与所述像素化薄膜晶体管一一对应。

5.如权利要求2所述的一种数字x射线探测器，其特征在于，在所述多晶片和像素化电极之间还包括电子阻隔层。

6.如权利要求1所述的一种数字x射线探测器，其特征在于，所述多晶片是由禁带宽度在1.0至1.6eV范围内的材料所形成的。

7.如权利要求1所述的一种数字x射线探测器，其特征在于，所述多晶片是由多晶硅、多晶碲化镉、多晶镉锌碲化物和多晶砷化镓中的至少一种材料所形成的晶片。

8.如权利要求1所述的一种数字x射线探测器，其特征在于，所述电极是由金、铝、铂、银、石墨中的至少一种材料形成的。

9.如权利要求1所述的一种数字x射线探测器，其特征在于，所述薄膜晶体管为非晶硅、微晶硅、有机薄膜电晶体中的一种。

10.如权利要求1所述的一种数字x射线探测器，其特征在于，该数字x射线探测器进一步包括平板，其中所述转换体层、有源矩阵和平板沿x射线的入射方向依次排布。