[实用新型]一种高频大功率碳化硅MOSFET模块

摘要

一种高频大功率碳化硅MOSFET模块，它包括散热基板、壳体，封装于壳体内的电路结构，壳体包括外壳和盖于外壳上的外盖，电路结构包括功率端子、信号端子、绝缘陶瓷基板、碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片；所述绝缘陶瓷基板通过高温回流焊接到散热基板上，在绝缘陶瓷基板上焊接有碳化硅mosfet芯片和碳化硅SBD芯片，碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片与绝缘陶瓷基板上刻蚀的电路结构连接起来，并通过铝线将碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片相互之间连接起来，至少三个功率端子焊接在绝缘陶瓷基板的对应位置上；所述壳体包括外壳和盖于外壳上的外盖，所述外壳通过密封胶与散热基板的外侧部分粘结在一起，壳体内部灌有硅凝胶，所述外盖和外壳之间通过螺丝紧固在一起；它具有高温、高频、大功率等优势，可应用于开关频率超过500kHz、输出功率超过100kW应用领域。

主权项

一种高频大功率碳化硅MOSFET模块，它包括散热基板、壳体，封装于壳体内的电路结构，壳体包括外壳和盖于外壳上的外盖，电路结构包括功率端子、信号端子、绝缘陶瓷基板、碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片； 其特征在于所述绝缘陶瓷基板（9）通过高温回流焊接到散热基板（1）上，在绝缘陶瓷基板（9）上焊接有碳化硅mosfet芯片（10）和碳化硅SBD芯片（12、13），碳化硅mosfet芯片（10）、碳化硅SBD芯片（12、13）与绝缘陶瓷基板（9）上刻蚀的电路结构连接起来，并通过铝线将碳化硅mosfet芯片（10）、碳化硅SBD芯片（12、13）相互之间连接起来，至少三个功率端子（6）焊接在绝缘陶瓷基板（9）的对应位置上。