[发明专利]共聚物制剂、其制造方法以及包括其的产品有效
| 申请号： | 201410858491.3 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104749876B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | P·D·胡斯塔德;P·特雷福纳斯三世;朴钟根 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;C08F220/14;C08F220/30;C08F120/18;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 王颖 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 这里公开了一种方法，包括在半导体基底的表面上设置垫组合物；其中所述垫组合物包括包含第一丙烯酸酯单元和第二单元的无规共聚物；其中所述共聚物不包括聚苯乙烯或聚环氧化物；交联所述无规共聚物；将刷状回填组合物设置在所述基底上；以使所述刷状回填组合物和所述垫组合物相互交替；在所述刷状回填组合物和所述垫组合物上设置经历自组装的嵌段共聚物；并且蚀刻所述嵌段共聚物以在所述半导体基底中生成均匀间隔的沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 共聚物 制剂 制造 方法 以及 包括 产品 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：将垫组合物设置在半导体基底的表面上；其中所述垫组合物包括包含第一丙烯酸酯单元和第二单元的无规共聚物；其中所述共聚物不包括聚苯乙烯或聚环氧化物；使所述无规共聚物交联；将刷状回填组合物设置在所述基底上；以使所述刷状回填组合物和所述垫组合物相互交替；在所述刷状回填组合物和所述垫组合物上设置经历自组装的嵌段共聚物；以及对所述嵌段共聚物进行蚀刻，以在所述半导体基底中形成均匀间隔的沟道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司，未经罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410858491.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
