[发明专利]共聚物制剂、其制造方法以及包括其的产品有效
| 申请号: | 201410858491.3 | 申请日: | 2014-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN104749876B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
| 发明(设计)人: | P·D·胡斯塔德;P·特雷福纳斯三世;朴钟根 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;C08F220/14;C08F220/30;C08F120/18;H01L21/027 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 王颖 |
| 地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 共聚物 制剂 制造 方法 以及 包括 产品 | ||
1.一种方法,包括:
将垫组合物设置在半导体基底的表面上;其中所述垫组合物包括包含第一丙烯酸酯单元和第二单元的无规共聚物;其中所述共聚物不包括聚苯乙烯或聚环氧化物;
使所述无规共聚物交联;
将刷状回填组合物设置在所述基底上;以使所述刷状回填组合物和所述垫组合物相互交替,其中所述刷状回填组合物包括以下结构:
在所述刷状回填组合物和所述垫组合物上设置经历自组装的嵌段共聚物,其中所述刷状回填组合物的蚀刻特性类似于设置在其上的嵌段共聚物的至少一个组分的蚀刻特性;其中所述刷状回填组合物的Ohnishi参数大于4,以及
对所述嵌段共聚物进行蚀刻,以在所述半导体基底中形成均匀间隔的沟道。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括将光刻胶设置在所述垫组合物上并蚀刻所述垫组合物。
3.根据权利要求1或2中任一项所述的方法,其中所述第一丙烯酸酯单元源自具有由化学式(1)表示的结构的单体的聚合:
其中R1为氢或具有1至10个碳原子的烷基;或者所述第一丙烯酸酯单元源自具有由化学式(2)表示的结构的单体的聚合:
其中R1为氢或具有1至10个碳原子的烷基,并且R2为C1-10烷基、C3-10环烷基或C7-10芳烷基。
4.根据权利要求1至2中任一项所述的方法,其中所述第二单元源自甲基丙烯酸2-(1,2-二氢环丁烷苯-1-基氧基)乙酯的聚合。
5.根据权利要求1至2中任一项所述的方法,其中所述垫组合物包括以下示出的经历交联的结构
6.根据权利要求1至2中任一项所述的方法,其中所述第二单元源自化学式I-1至I-20和化学式M-1至M-27中示出的可交联单体的聚合和/或交联:
7.一种用于半导体制造的刷状回填组合物,其包括:
垫组合物,其包含具有可以被反应到半导体基底的官能团的聚丙烯酸烷基酯无规共聚物;其中所述刷状回填共聚物被设置在垫组合物条之间;其中所述刷状回填组合物和所述垫组合物被设置在所述半导体基底上;其中所述刷状回填组合物包括嵌段或无规共聚物,刷聚合物上的反应性基团为烷氧基、羧基、巯基、酚基、羟基芳基、羟基杂芳基、芳基巯基、羟基烷基、伯羟基烷基、仲羟基烷基、叔羟基烷基、烷基巯基、羟基烯烃、三聚氰胺、甘脲、苯胍胺、环氧树脂、脲或其组合;其中所述刷状回填组合物的Ohnishi参数大于4,并且其中所述刷状回填组合物的蚀刻特性类似于设置在其上的嵌段共聚物的至少一个组分的蚀刻特性。
8.根据权利要求7所述的刷状回填组合物,其中所述聚丙烯酸烷基酯包括源自甲基丙烯酸乙酯的聚合的单体单元。
9.根据权利要求7至8中任一项所述的刷状回填组合物,其中所述聚丙烯酸烷基酯包括化学式(5)中示出的结构:
其中n3为75至125。
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