[发明专利]制备光滑多晶硅膜的方法以及阵列基板有效
| 申请号： | 201410856152.1 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104485276A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 胡国仁 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;刘华联 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及制备光滑多晶硅膜的方法以及阵列基板。该方法包括步骤一：在基板上形成第一多晶硅层，在第一多晶硅层的表面上具有多个隆起；步骤二：蚀刻第一多晶硅层的表面，隆起被蚀刻成凹坑；步骤三：在第一多晶硅层的表面上形成第二非晶硅层，第二非晶硅层包括与凹坑对应的凹陷的填充区和包围填充区的非填充区；步骤四：对第二非晶硅层进行热处理，第二非晶硅层结晶并在凹陷的填充区处形成凸起而将凹陷的填充区填平以形成具有光滑表面的第二多晶硅层。通过本发明的方法制备的多晶硅膜的表面粗糙度较小，有助于减小栅极绝缘层的厚度，从而减小液晶显示器的电能消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 光滑 多晶 方法 以及 阵列 | ||
【主权项】：
一种制备光滑多晶硅膜的方法，包括：步骤一：在基板上形成第一多晶硅层，在所述第一多晶硅层的表面上具有多个隆起；步骤二：蚀刻所述第一多晶硅层的表面，所述隆起被蚀刻成凹坑；步骤三：在所述第一多晶硅层的表面上形成第二非晶硅层，所述第二非晶硅层包括与所述凹坑对应的凹陷的填充区和包围所述填充区的非填充区；步骤四：对所述第二非晶硅层进行热处理，所述第二非晶硅层结晶并在所述凹陷的填充区处形成凸起而将所述凹陷的填充区填平以形成具有光滑表面的第二多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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