[发明专利]制备光滑多晶硅膜的方法以及阵列基板

权利要求书

1.一种制备光滑多晶硅膜的方法，包括：

步骤一：在基板上形成第一多晶硅层，在所述第一多晶硅层的表面上具有多个隆起；

步骤二：蚀刻所述第一多晶硅层的表面，所述隆起被蚀刻成凹坑；

步骤三：在所述第一多晶硅层的表面上形成第二非晶硅层，所述第二非晶硅层包括与所述凹坑对应的凹陷的填充区和包围所述填充区的非填充区；

步骤四：对所述第二非晶硅层进行热处理，所述第二非晶硅层结晶并在所述凹陷的填充区处形成凸起而将所述凹陷的填充区填平以形成具有光滑表面的第二多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤四中，在所述热处理期间将所述第二非晶硅层加热到：填充区内的材料全部融化，非填充区内的材料部分融化或全部融化。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步骤三中，所述凹坑的底部存在有空气层，所述填充区内的材料处于所述空气层上方。

4.根据权利要求1到3中任一项所述的方法，其特征在于，所述热处理为将所述第二非晶硅层的受热区域从所述第二非晶硅层的一侧边移向相对的另一侧边以使所述第二非晶硅层沿着移动方向顺序凝固而形成所述第二多晶硅层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述步骤四中，首先以所述基板的法线为轴，将所述基板转动大于零度小于180度的角度，然后再对所述第二非晶硅层进行热处理。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述基板的转动角度为90度。

7.根据权利要求1到3中任一项所述的方法，其特征在于，所述第二非晶硅层的厚度大于所述凹坑的深度。

8.根据权利要求1到3中任一项要求所述的方法，其特征在于，在所述步骤二中，以干式蚀刻的方式来蚀刻所述第一多晶硅层的表面，所述干法蚀刻的介质为SF₆与Cl₂的混合气体。

9.根据权利要求1到3中任一项要求所述的方法，其特征在于，在所述步骤二中，以湿式蚀刻的方式来蚀刻所述第一多晶硅层的表面，所述湿式蚀刻的蚀刻液包括重铬酸钾、氢氟酸和水。

10.一种阵列基板，其包括根据权利要求1到9中任一项所述的方法制备的光滑多晶硅膜。