[发明专利]一种用于获取阵列基板中电容容值的结构体及方法有效
| 申请号： | 201410855647.2 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104536169B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 阙祥灯 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13;G01R27/26 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 朱绘,张文娟 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于获取阵列基板中电容容值的结构体及方法，其中，该结构体包括第一导电区域，其设置为与阵列基板中的第一导电层同层；第二导电区域，其设置为与阵列基板中的第二导电层同层，第二导电区域与第一导电区域部分或全部重叠；第一测量区域，其与第一导电区域连接；第二测量区域，其与第二导电区域连接。利用该结构体能够实现在对子像素中相应电容容值的检测，这为判断子像素以及液晶面板的性能和质量提供了数据依据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 获取 阵列 基板中 电容 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于获取阵列基板中电容容值的结构体，其特征在于，所述结构体包括：第一导电区域，其设置为与阵列基板中的第一导电层同层；第二导电区域，其设置为与所述阵列基板中的第二导电层同层，所述第二导电区域与第一导电区域部分或全部重叠；第一测量区域，其与所述第一导电区域连接；第二测量区域，其与所述第二导电区域连接；所述第一导电区域和/或第二导电区域的形状为圆形，所述第一导电层为存储电极所处的导电层，所述第二导电层为像素电极所处的导电层。
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