[发明专利]一种用于获取阵列基板中电容容值的结构体及方法有效
| 申请号： | 201410855647.2 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104536169B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 阙祥灯 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13;G01R27/26 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 朱绘,张文娟 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 获取 阵列 基板中 电容 结构 方法 | ||
1.一种用于获取阵列基板中电容容值的结构体，其特征在于，所述结构体包括：
第一导电区域，其设置为与阵列基板中的第一导电层同层；
第二导电区域，其设置为与所述阵列基板中的第二导电层同层，所述第二导电区域与第一导电区域部分或全部重叠；
第一测量区域，其与所述第一导电区域连接；
第二测量区域，其与所述第二导电区域连接；
所述第一导电区域和/或第二导电区域的形状为圆形，
所述第一导电层为存储电极所处的导电层，所述第二导电层为像素电极所处的导电层。
2.如权利要求1所述的结构体，其特征在于，所述第一导电层为公共电极所处的导电层，所述第二导电层为像素电极所处的导电层。
3.如权利要求1所述的结构体，其特征在于，所述第一测量区域与第一导电区域同层，且/或，第二测量区域与第二导电区域同层。
4.如权利要求1所述的结构体，其特征在于，所述第二测量区域与第一测量区域同层，其通过过孔与所述第二导电区域连接。
5.如权利要求1所述的结构体，其特征在于，所述第一测量区域与第二测量区域的几何尺寸相同。
6.如权利要求1所述的结构体，其特征在于，所述第一测量区域与第二测量区域间隔预设距离。
7.如权利要求1～6中任一项所述的结构体，其特征在于，
所述第一导电区域与第一测量区域之间存在第一匹配网络；且/或，
所述第二导电区域与第二测量区域之间存在第二匹配网络。
8.一种用于获取阵列基板中电容容值的方法，其特征在于，所述方法包括：
在阵列基板上形成如权利要求1～7中任一项所述的结构体；
通过所述结构体中第一测量区域和第二测量区域，测量得到所述结构体中第一导电区域与第二导电区域所形成的电容的容值；
根据所得到的容值和所述第一导电区域与第二导电区域的重叠面积，以及阵列基板中子像素的像素电极与公共电极或电容电极的重叠面积，计算得到所述子像素的像素电极与公共电极或电容电极所形成的电容的容值。
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