[发明专利]一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件有效
| 申请号： | 201410851598.5 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104538440A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;杨超;熊佳云;魏杰;周坤;吴俊峰;张波;李肇基 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李玉兴 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件。本发明的技术方案，主要通过在较厚的缓冲层中引入负电荷，达到提高器件击穿电压或者阈值电压的目的，且不会引入附加寄生电容，同时与在较薄的势垒层中引入电荷相比，在较厚的缓冲层中引入电荷可靠性更好，工艺容差更大。另外，本发明在现在工艺技术的基础上就可实现。本发明尤其适用于HEMT器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缓冲 层荷电 resurf hemt 器件 | ||
【主权项】：
一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件，包括衬底(1)、位于衬底(1)上层的缓冲层(2)、位于缓冲层(2)上层的势垒层(3)和位于势垒层(3)上层的钝化层(4)，所述缓冲层(2)与势垒层(3)形成异质结；所述势垒层(3)上表面两端分别设置有源电极(6)和漏电极(7)，在源电极(6)和漏电极(7)之间设置有栅电极(8)；其特征在于，所述缓冲层(2)中具有第一负荷电埋层(5)；所述第一负荷电埋层(5)位于栅电极(8)和漏电极(7)之间的钝化层下方。
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