[发明专利]一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件有效
| 申请号： | 201410851598.5 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104538440A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;杨超;熊佳云;魏杰;周坤;吴俊峰;张波;李肇基 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李玉兴 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 缓冲 层荷电 resurf hemt 器件 | ||
1.一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件，包括衬底(1)、位于衬底(1)上层的缓冲层(2)、位于缓冲层(2)上层的势垒层(3)和位于势垒层(3)上层的钝化层(4)，所述缓冲层(2)与势垒层(3)形成异质结；所述势垒层(3)上表面两端分别设置有源电极(6)和漏电极(7)，在源电极(6)和漏电极(7)之间设置有栅电极(8)；其特征在于，所述缓冲层(2)中具有第一负荷电埋层(5)；所述第一负荷电埋层(5)位于栅电极(8)和漏电极(7)之间的钝化层下方。
2.根据权利要求1所述的一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件，其特征在于，所述第一负荷电埋层(5)的宽度等于栅电极(8)和漏电极(7)之间的钝化层宽度。
3.根据权利要求1所述的一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件，其特征在于，所述第一负荷电埋层(5)的宽度小于栅电极(8)和漏电极(7)之间的钝化层宽度。
4.根据权利要求2或3所述的一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件，其特征在于，所述第一负荷电埋层(5)由多层在竖直方向上相互平行且大小相同的负荷电埋层构成。
5.根据权利要求2或3所述的一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件，其特征在于，所述缓冲层(2)中还具有第二负荷电层(9)；所述第二负荷电层(9)位于栅电极(8)下方；所述第一负荷电层(5)与第二负荷电层(9)相互独立。
6.根据权利要求2或3所述的一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件，其特征在于，所述栅电极(8)与势垒层(3)之间还具有绝缘栅介质(10)。
7.根据权利要求6所述的一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件，其特征在于，所述绝缘栅介质(10)带有负电荷，形成荷电栅介质区(11)。
8.根据权利要求2或3所述的一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件，其特征在于，所述栅电极(8)与势垒层(3)形成肖特基接触。
9.根据权利要求2或3或7所述的一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件，其特征在于，所述第一负电荷埋层(5)的掺杂方式为均匀掺杂、横向分段阶梯掺杂和横向线性掺杂中的一种。
10.根据权利要求9所述的一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件，其特征在于，所述缓冲层(2)采用的材料为GaN、AlN、AlGaN中的一种或几种的组合；所述势垒层(3)采用的材料为GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InAlN中的一种或几种的组合；所述衬底(1)采用的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化铝、氮化镓中的一种或几种的组合。
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