[发明专利]一种长波HgCdTe光伏器件暗电流的测试方法在审
| 申请号： | 201410851519.0 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104502671A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 孙浩;鲍哲博;朱西安;李家发;刘伟;东海杰;宁提 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心11010 | 代理人： | 田卫平 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种长波HgCdTe光伏器件暗电流的测试方法。其中，该方法包括：步骤A，将样品安装在液氮杜瓦中，并按定义焊接好引线；步骤B，在杜瓦中安装冷屏并加入温度传感器；步骤C，对液氮杜瓦进行抽取真空操作；步骤D，用测试线连接杜瓦与半导体测试分析仪；步骤E，基于半导体测试分析仪对样品进行电压测试并保存数据；步骤F，基于半导体测试分析仪对数据进行分析。通过本发明，解决了现有技术中长波器件的暗电流无法低成本快速准确测量的问题，可以满足短时间内对批量长波器件的暗电流无损侦测，以方便对器件的参数批量分析，数据统计，用来指导工艺改进。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 长波 hgcdte 器件 电流 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种长波HgCdTe光伏器件暗电流的测试方法，其特征在于，该方法包括：步骤A，将样品安装在液氮杜瓦中，并按定义焊接好引线；步骤B，在所述杜瓦中安装冷屏并加入温度传感器；步骤C，对所述液氮杜瓦进行抽取真空操作；步骤D，用测试线连接所述杜瓦与半导体测试分析仪；步骤E，基于所述半导体测试分析仪对所述样品进行电压测试并保存数据；步骤F，基于所述半导体测试分析仪对所述数据进行分析。
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