[发明专利]一种长波HgCdTe光伏器件暗电流的测试方法

权利要求书

1.一种长波HgCdTe光伏器件暗电流的测试方法，其特征在于，该方法包括：

步骤A，将样品安装在液氮杜瓦中，并按定义焊接好引线；

步骤B，在所述杜瓦中安装冷屏并加入温度传感器；

步骤C，对所述液氮杜瓦进行抽取真空操作；

步骤D，用测试线连接所述杜瓦与半导体测试分析仪；

步骤E，基于所述半导体测试分析仪对所述样品进行电压测试并保存数据；

步骤F，基于所述半导体测试分析仪对所述数据进行分析。

2.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，

所述冷屏是由c型环、内外冷屏、外层冷屏组成的双层冷屏结构；其中，内层冷屏表面镀金，直径为18mm，厚度1mm，外层冷屏的直径为30mm，厚度为0.6mm，内外冷屏全为封闭式，无开口，内外冷屏之间的距离为6mm，内层冷屏之间和冷头之间垫有c型环，所述c型环与内层冷屏之间填涂有导热脂。

3.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述步骤A包括：

将样品黏贴在中测杜瓦的冷头上。

4.如权利要求2所述的测试方法，其特征在于，所述步骤B包括：

在样品周围垫上c型环，在所述c形环上黏贴所述内侧冷屏，并在所述c型环上均匀填涂导热脂；

在内侧冷屏的外表面上加入温度传感器，然后安装外层冷屏，最后在外面扣上窗座。

5.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述步骤C包括：

对所述液氮杜瓦进行抽取真空操作，直到真空度达到1torr时停止。

6.如权利要求2所述的测试方法，其特征在于，所述步骤D包括：

在所述杜瓦中灌入液氮，并对内层冷屏的温度进行实时监测；

当传感器数值稳定在1.05(80k)时，用测试线连接所述杜瓦与半导体分析仪。

7.如权利要求2所述的测试方法，其特征在于，

所述温度传感器安装位置为内层冷屏的外表面上，所述温度传感器已进行温度标定。所述温度传感器与内层冷屏之间填涂有导热脂。

8.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，

所述测试线一端为BNC射频连接器，一端为微型D型插头，中间设置为射频电缆，所述射频电缆从内到外分别是输出线、绝缘层、地线、绝缘层、屏蔽层、绝缘层、外壳，整体为一连续屏蔽体；其中，所述测试线的各个连接处为焊接。

9.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，

所述电压测试的范围为：-0.8v—0.1v，步长为0.5mv，电压测试后得到的是一组关于电压电流的数据。

10.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述步骤F，包括：

对数据进行平整度，数据筛选，差分，多项式拟合数据处理，得到暗电流的动态电阻随电压的变化曲线，最后求得反偏工作电阻Rr，零偏电阻R0。