[发明专利]嵌入式半导体装置封装及其制造方法在审
| 申请号： | 201410848599.4 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN104681520A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | S·S·乔罕;P·A·麦康奈利;A·V·高达 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/498;H01L23/367;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 严志军;肖日松 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及嵌入式半导体装置封装及其制造方法。一种封装结构包括介电层，至少一个附接到介电层的半导体装置，施加到介电层且在半导体装置周围以使半导体装置嵌入其中的一个或多个介电片材，和多个形成到半导体装置的通路，多个通路形成在介电层和一个或多个介电片材中的至少一者。封装结构还包括形成在通路中且在封装结构的一个或多个朝外表面上的金属互连件，以形成到半导体装置的电互连。介电层由层压工艺期间不流动的材料组成且一个或多个介电片材的每一个由可固化材料组成，固化材料被配置成在层压工艺期间当固化时熔化并流动，从而填充半导体装置周围的任何空气间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 半导体 装置 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种封装结构，包括：第一介电层；附接到所述第一介电层的至少一个半导体装置；一个或多个介电片材，其施加到所述第一介电层上和所述至少一个半导体装置周围，使得所述至少一个半导体装置嵌入其中；形成到所述至少一个半导体装置的多个通路，所述多个通路形成在所述第一介电层和所述一个或多个介电片材中的至少一者；以及金属互连件，其形成在所述多个通路中和在所述封装结构的一个或多个朝外表面上，以形成到所述至少一个半导体装置的电互连；其中，所述第一介电层由在层压工艺期间不流动的材料组成；其中，所述一个或多个介电片材中的每一个由可固化材料组成，该可固化材料被配置成在所述层压工艺期间当固化时熔化并流动，使得所述一个或多个介电片材熔化并流动以填充存在于所述至少一个半导体装置周围的任何空气间隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用电气公司;，未经通用电气公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410848599.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
