[发明专利]嵌入式半导体装置封装及其制造方法

权利要求书

1.一种封装结构，包括：

第一介电层；

附接到所述第一介电层的至少一个半导体装置；

一个或多个介电片材，其施加到所述第一介电层上和所述至少一个半导体装置周围，使得所述至少一个半导体装置嵌入其中；

形成到所述至少一个半导体装置的多个通路，所述多个通路形成在所述第一介电层和所述一个或多个介电片材中的至少一者；以及

金属互连件，其形成在所述多个通路中和在所述封装结构的一个或多个朝外表面上，以形成到所述至少一个半导体装置的电互连；

其中，所述第一介电层由在层压工艺期间不流动的材料组成；

其中，所述一个或多个介电片材中的每一个由可固化材料组成，该可固化材料被配置成在所述层压工艺期间当固化时熔化并流动，使得所述一个或多个介电片材熔化并流动以填充存在于所述至少一个半导体装置周围的任何空气间隙。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括设置在至少一个半导体装置周围的介电腹板，其中介电腹板包括一个或多个形成在其中以接收至少一个半导体装置的开口。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，介电腹板相比于介电片材被构造为具有增加的刚性且在层压工艺期间不流动，其中介电腹板由印刷电路板(PCB)芯材、聚酰亚胺层、陶瓷材料和复合介电材料中的一者组成。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，介电腹板被构造为其中具有铜电路。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，一个或多个介电片材由处于未固化或部分固化状态的预浸材料、聚合树脂、或粘接剂中的一者组成。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，至少一个半导体装置包括功率半导体装置。

7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，多个通路包括：

穿过第一介电层到达功率半导体装置的正面而形成的通路；和

穿过一个或多个介电片材到达功率半导体装置的背面而形成的通路；

其中通路功能作为封装结构中的电和热通路；以及

其中金属互连件形成在通路的每一个中，并到达功率半导体装置的正面和背面。

8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，金属互连件包括形成电连接的镀铜功率覆盖(POL)互连件和在封装结构的朝外表面上的热扩散铜垫，从而提供到功率半导体装置的电和热互连。

9.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，还包括施加在封装结构的朝外表面上和热扩散铜垫上的热界面材料(TIM)，从而使得封装结构结合到散热部。

10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括多个延伸穿过第一介电层和一个或多个介电片材的贯通路，且其中金属互连件形成在贯通路的每一个中，并到达功率半导体装置的正面和背面。