[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201410837376.8 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104538454A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 李金明 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法，包括:基板(1)、设于基板(1)上的遮光层(2)、设于遮光层(2)上的衬垫层(3)、设于衬垫层上的介质层(4)、设于介质层上的有源层(5)、设于有源层(5)上的栅极绝缘层(6)、设于栅极绝缘层(6)上的栅极层(7)；其中，遮光层(2)包括设于基板(1)上的平坦部(21)、及设于平坦部(21)上的凸起部(22)；有源层(5)的投影至少覆盖所述凸起部(22)的上表面局部区域及所述凸起部(22)的一个侧壁(224)，能够在不改变显示装置开口率的前提下，有效地增加沟道宽度，增加沟道的宽长比，提高了开态电流，提升低温多晶硅薄膜晶体管的驱动能力及器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括:基板(1)、设于所述基板(1)上的遮光层(2)、设于所述遮光层(2)上的衬垫层(3)、设于所述衬垫层(3)上的介质层(4)、设于所述介质层(4)上的有源层(5)、设于所述有源层(5)上的栅极绝缘层(6)、设于所述栅极绝缘层(6)上的栅极层(7)；其中，所述遮光层(2)包括设于所述基板(1)上的平坦部(21)、及设于所述平坦部(21)上的凸起部(22)；所述有源层(5)的投影至少覆盖所述凸起部(22)的上表面局部区域及所述凸起部(22)的一个侧壁(224)。
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