[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

随着显示技术的发展，平板显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

主动矩阵式(Active Matrix，AM)平板显示装置是目前最常用的显示装置，所述主动矩阵式平板显示装置通过一薄膜晶体管开关(Thin Film Transistor，TFT)来控制数据信号的输入，进而控制画面显示。

目前的显示技术朝着高分辨率的方向不断发展，例如手机的分辨率已经达到1080P的水准(1080×1920)，而电视的分辨率更是达到4K(4096×2160)的级别，伴随着分辨率的不断提升，需要不断提高TFT器件的驱动能力。因而，具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点的低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon，LTPS)薄膜晶体管显示装置也越来越受关注，为了满足高分辨率的显示装置的驱动能力要求，需要提高显示装置像素区和驱动区的开态电流，提高开态电流的方法为增大TFT器件沟道的宽长比，具体的，所述开态电流I_D与TFT器件沟道的宽长比的相关公式为：线性区:ID=WTμCox(VG-VT)VD;]]>饱和区：ID=12WTμCox(VG-VT)2;]]>从上述公式可确定，无论是对于线性区还是饱和区，提高开态电流都有两种方法，一是增加沟道宽度W，但是随着沟道宽度W的增加，显示装置的开口率也会随之降低，从而降低面板设计的空间；二是减小沟道长度L，但是沟道长度L过小会增加沟道被击穿风险，因此在沟道长度L的变化上范围十分有限。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低温多晶硅薄膜晶体管，用于驱动主动矩阵式显示器件，该低温多晶硅薄膜晶体管能够在不改变显示装置开口率的前提下，有效地增加沟道宽度，增加沟道的宽长比，提高了开态电流，进而提升了低温多晶硅薄膜晶体管的驱动能力及器件性能。

本发明的目的还在于提供一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，采用该法能够制造具有较大的沟道宽度与沟道的宽长比低温多晶硅薄膜晶体管，进而提高开态电流，使得该低温多晶硅薄膜晶体管具有优异的驱动能力及器件性能。

为实现上述目的，本发明首先提供一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括:基板、设于所述基板上的遮光层、设于所述遮光层上的衬垫层、设于所述衬垫层上的介质层、设于所述介质层上的有源层、设于所述有源层上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的栅极层；

其中，所述遮光层包括设于所述基板上的平坦部、及设于所述平坦部上的凸起部；

所述有源层的投影至少覆盖所述凸起部的上表面局部区域及所述凸起部的一个侧壁。

所述遮光层的材料为钼。