[发明专利]一种用于铸锭分离高金属杂质区的设备及方法有效

专利信息
申请号: 201410829852.1 申请日: 2014-12-25
公开(公告)号: CN104528733A 公开(公告)日: 2015-04-22
发明(设计)人: 李鹏延;谭毅;李佳艳;王登科;薛冰 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 赵淑梅;李馨
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种用于铸锭分离高金属杂质区的设备及其方法,通过在铸锭设备坩埚顶部预留出一定的区域,该区域不喷覆Si3N4涂层,控制硅锭的生长方式和速率,使硅锭生长至为涂覆Si3N4涂层的区域时,通过充入一定量的氩气,使硅锭顶部高金属杂质区反向凝固,在定向凝固与反向凝固的界面处会形成裂纹,极易脱离开,并且反向凝固的区域由于未喷覆Si3N4涂层,硅锭与石英坩埚发生粘连,在取出硅锭后,破碎外表面石英坩埚的同时,可将硅锭中高金属杂质的区域一并去除。去除方法简单易行,且节省一定的Si3N4用量,硅锭利用率或实际良率为88%~91%。
搜索关键词: 一种 用于 铸锭 分离 金属 杂质 设备 方法
【主权项】:
一种用于铸锭分离高金属杂质区的设备,其特征在于:所述设备包括氩气通入口(1)、隔热笼(2)、石墨加热器(3)和石英坩埚(5),所述隔热笼(2)、石墨加热器(3)和石英坩埚(5)均一面开口,所述隔热笼(2)和石墨加热器(3)开口向下扣于石英坩埚(5)上,所述石英坩埚(5)开口向上,其内壁涂覆有Si3N4层(4),所述石英坩埚内Si3N4层(4)的涂覆高度根据待分离铸锭的理论良率确定,预留出待去除的高金属杂质区。
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