[发明专利]提高MOS器件击穿电压的方法及MOS器件在审
| 申请号： | 201410822143.0 | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104465777A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 林洪春;杨大为;孙佳佳;王增智;樊吉涛 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;葛强 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种MOS器件，包括硅片基体，设置在所述硅片基体上的彼此间隔的源极、第一分压环和第二分压环，其中，所述第一分压环与所述源极通过金属连接以形成电压等位环。另外，本发明还提供了一种提高MOS器件击穿电压的方法。本申请只需设置第一分压环和第二分压环，并通过将第一分压环与源极金属连接，使第一分压环在通电状态下成为与源极电压相等的等位环。这种方式在与现有技术采用电阻率相同的衬底的情况下提高了MOS器件反向击穿压。解决了MOS器件在保证低导通电阻的情况下实现高击穿压的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 mos 器件 击穿 电压 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS器件，包括硅片基体；设置在所述硅片基体上的彼此间隔的源极、第一分压环和第二分压环；其中，所述第一分压环与所述源极通过金属连接以形成电压等位环。
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