[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

摘要

本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够提高RF偏置功能的控制性，针对微细加工的各种要求条件实现等离子体工艺的最优化。该等离子体处理装置中，从第三高频电源(66)对上部电极(46)(或下部电极(12))施加适于电容耦合的等离子体生成的高频(RFH)，并且为了控制从等离子体入射到半导体晶片(W)的离子的能量，从第一和第二高频电源(36)、(38)对基座(12)重叠地施加适于离子引入的2种高频(RFL1(0.8MHz))、(RFL2(13MHz))。根据工艺的规格、条件或处理方案，控制部88控制2个高频(RFL1)、(RFL2)的总功率和功率比。

主权项

一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：将被处理基板能够搬出搬入地收容的能够进行真空排气的处理容器；向所述处理容器内供给所期望的处理气体的处理气体供给部；在所述处理容器内生成所述处理气体的等离子体的等离子体生成部；在所述处理容器内载置并保持所述基板的第一电极；对所述第一电极施加具有第一频率的第一高频，以从所述等离子体向所述第一电极上的所述基板引入离子的第一高频供电部；对所述第一电极施加具有比所述第一频率高的第二频率的第二高频，以从所述等离子体向所述第一电极上的所述基板引入离子的第二高频供电部；和控制部，其控制所述第一高频和第二高频的总功率和功率比，使得依赖于从所述等离子体被引入到所述基板的离子的能量的至少一个工艺特性最优化，在所述等离子体下对所述基板实施将有机膜作为掩模的氧化膜的等离子体蚀刻处理中，所述控制部进行以下控制：对被引入到所述基板的离子的能量分布的最小能量和最大能量独立地进行控制，使得离子的能量集中到比由所述有机膜和氧化膜的二膜决定的蚀刻效率的第一阈值低的第一能量区域，并且使得离子的能量集中到比第二阈值高的第二能量区域，在所述第二阈值，缩颈角度生成的孔内部的侧壁堆积膜的离子垂直入射的蚀刻效率比所述有机膜上表面的大。