[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

将被处理基板能够搬出搬入地收容的能够进行真空排气的处理容器；

向所述处理容器内供给所期望的处理气体的处理气体供给部；

在所述处理容器内生成所述处理气体的等离子体的等离子体生成部；

在所述处理容器内载置并保持所述基板的第一电极；

对所述第一电极施加具有第一频率的第一高频，以从所述等离子体向所述第一电极上的所述基板引入离子的第一高频供电部；

对所述第一电极施加具有比所述第一频率高的第二频率的第二高频，以从所述等离子体向所述第一电极上的所述基板引入离子的第二高频供电部；和

控制所述第一高频和第二高频的总功率和功率比，使得依赖于从所述等离子体被引入到所述基板的离子的能量的至少一个工艺特性最优化，

在所述等离子体下对所述基板实施将有机膜作为掩模的氧化膜的等离子体蚀刻处理的工序，

在所述等离子体处理中，对被引入到所述基板的离子的能量分布的最小能量和最大能量独立地进行控制，使得离子的能量集中到比由所述有机膜和氧化膜的二膜决定的蚀刻效率的第一阈值低的第一能量区域，并且使得离子的能量集中到比第二阈值高的第二能量区域，在所述第二阈值，缩颈角度生成的孔内部的侧壁堆积膜的离子垂直入射的蚀刻效率比所述有机膜上表面的大。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一高频的频率在100kHz～6MHz的范围内，所述第二高频的频率在6MHz～40MHz的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述等离子体生成部包括：

在所述处理容器内与所述第一电极隔开规定间隔地平行相对的第二电极；

对所述第一电极或所述第二电极施加具有比所述第二频率高的第三频率的第三高频以使所述处理气体放电的第三高频供电部。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第三高频的频率在27MHz～300MHz的范围内。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，包括：

用于对所述第二电极施加负极性的直流电压的可变直流电源；和

根据所述第一高频和第二高频的总功率和功率比，控制所述直流电压的绝对值的DC偏置控制部。

6.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述DC偏置控制部包括：

运算部，其根据所述第一高频和第二高频的总功率和功率比，求取被引入到所述基板的离子的能量总量；和

控制器，该控制器使得：所述能量总量越多，所述直流电压的绝对值越大，所述能量总量越少，所述直流电压的绝对值越小。