[发明专利]一种扇出晶圆级封装方法有效
| 申请号： | 201410818160.7 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104465418B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 石磊 | 申请（专利权）人： | 通富微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 226004 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种扇出晶圆级封装方法，包括以下工艺步骤提供载板；在载板上贴上一层可剥离保护膜,并在特定区域形成图形开口；在所述的图形开口中形成金属层；将带有金属层的保护膜从载板上剥离；将芯片安装在所述的在金属层上，并进行打线或植球；对芯片和金属布线进行塑封。本发明的技术方案，工艺简单，封装精度高，成本低，能够适用于高密集的I/O端封装结构中，特别适用于薄型封装工艺中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扇出晶圆级 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种扇出晶圆级封装方法，包括以下工艺步骤：提供载板；在所述载板上贴可剥离保护膜，并在所述可剥离保护膜上形成图形开口；在所述图形开口中形成金属层，所述金属层为一层以上；去除所述载板；去除所述载板后，将芯片与所述金属层连接；将所述芯片和所述金属层连接之后，进行塑封和再布线；其中，所述可剥离保护膜的非图形开口区域在所述封装方法过程中保留。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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