[发明专利]一种扇出晶圆级封装方法有效
| 申请号: | 201410818160.7 | 申请日: | 2014-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN104465418B | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
| 发明(设计)人: | 石磊 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人: | 何青瓦 |
| 地址: | 226004 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 扇出晶圆级 封装 方法 | ||
1.一种扇出晶圆级封装方法,包括以下工艺步骤:
提供载板;
在所述载板上贴可剥离保护膜,并在所述可剥离保护膜上形成图形开口;
在所述图形开口中形成金属层,所述金属层为一层以上;
去除所述载板;
去除所述载板后,将芯片与所述金属层连接;
将所述芯片和所述金属层连接之后,进行塑封和再布线;
其中,所述可剥离保护膜的非图形开口区域在所述封装方法过程中保留。
2.如权利要求1所述的扇出晶圆级封装方法,其特征在于:所述金属层为两层,其中第一金属层与第二金属层为锡、银、铜、镍、钯、金中的一种;第一金属层为靠近载板的金属层,第二金属层位于第一金属层之上。
3.如权利要求2所述的扇出晶圆级封装方法,其特征在于:所述第一金属层和第二金属层为不同金属材料。
4.如权利要求3所述的扇出晶圆级封装方法,其特征在于:所述再布线的步骤包括:在所述第二金属层上设置介质保护层;所述介质保护层不完全覆盖第二金属层;在介质保护层未覆盖的第二金属层之上形成再布线层,所述再布线层至少为一层。
5.如权利要求4所述的扇出晶圆级封装方法,其特征在于:再布线之后,在所述再布线层上植球或者涂覆绝缘层。
6.如权利要求4所述的扇出晶圆级封装方法,其特征在于:将芯片与所述金属层连接的方式为正装或倒装。
7.如权利要求4所述的扇出晶圆级封装方法,其特征在于,所述载板材料为玻璃、氧化铝、单晶硅、氮化铝、氧化铍、碳化硅、蓝宝石中的一种。
8.如权利要求4所述的扇出晶圆级封装方法,其特征在于:所述可剥离保护膜为UV膜、PET膜、PE膜、OPP膜、聚乙烯醇膜中的一种;所述塑封材料为硅树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、酚醛树脂、聚氨酯、丙烯酸树脂中的一种;所述的介质保护层为油墨、SiO2薄膜、UV膜、PET膜、聚酯膜、PP膜、PE膜中的一种。
9.如权利要求4所述的扇出晶圆级封装方法,其特征在于:所述芯片安装为正装或倒装;在芯片安装步骤中,通过CCD影像对位装置检测芯片的偏移情况,通过金属针管吸取多余的阻焊剂;通过芯片卡爪纠正芯片的偏移。
10.如权利要求9所述的扇出晶圆级封装方法,其特征在于:所述芯片卡爪具有四个方向爪指,根据CCD影像对位装置的监控结果对芯片进行微移,使其位于准确的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





