[发明专利]一种提高ITO薄膜性能的射频磁控溅射工艺及ITO薄膜在审
| 申请号： | 201410816069.1 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104593739A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 庞凤梅;徐国华;罗永城 | 申请（专利权）人： | 庞凤梅;徐国华;罗永城 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 广西南宁汇博专利代理有限公司 45114 | 代理人： | 邓晓安 |
| 地址： | 530022 广西壮族自*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 一种提高ITO薄膜性能的射频磁控溅射工艺，包括如下步骤：1）制备粉末靶材：先将ITO粉体注入到模具中，铺平，封闭模具后压制成型；2）将步骤1）制备好的靶材和具有导热性能的基片置于真空溅射腔室内；3）将通入氧气和氩气流量比调整为0.1：14~16，设置镀膜功率为150w~175w，镀膜时间为3~4h，溅射气压为1.0~1.2Pa，基片的加热温度为300~400℃；4)溅射完毕后在射频磁控溅射设备中保持温度200~300℃，保温时间为0.5~1h；5）溅射完毕后将已镀膜基片进行退火处理即得所述薄膜。该发明以粉末靶材来制备薄膜，极大降低ITO薄膜的制备成本，而且性能优越，符合工业生产和应用的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 ito 薄膜 性能 射频 磁控溅射 工艺 | ||
【主权项】：
一种提高ITO薄膜性能的射频磁控溅射工艺，其特征在于，包括如下步骤：1)制备粉末靶材：先将ITO粉体注入到模具中，铺平，封闭模具后压制成型；2)将步骤1)制备好的靶材和具有导热性能的基片置于真空溅射腔室内；3)向真空溅射腔室内通入氧气和氩气，并将通入氧气和氩气流量比调整为0.1：14～16，设置镀膜功率为150～175w，镀膜时间为3～4h，溅射气压为1.0～1.2Pa，基片的加热温度为300～400℃；4)溅射完毕后在射频磁控溅射设备中保持温度200～300℃，保温时间为0.5～1h；5)将步骤3)所得已镀膜基片进行退火处理即得所述薄膜。
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