[发明专利]一种基于变容二极管内埋的基片集成波导连续移相器有效
申请号: | 201410802374.5 | 申请日: | 2014-12-22 |
公开(公告)号: | CN104518262A | 公开(公告)日: | 2015-04-15 |
发明(设计)人: | 彭浩;江鹏;杨涛 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01P1/185 | 分类号: | H01P1/185 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 张杨 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及微波电路技术,特别是涉及相位连续可变的基片集成波导移相器。包括变容二极管、过渡结构、基片集成波导和外围电阻电容电感。通过在基片集成波导上沿电磁波传播方向加工两列共四个非金属化通孔,这四个非金属化通孔的中心构成一个长方形,长方形的中心与基片集成波导的物理中心重合;非金属化通孔中均内埋变容二极管,二极管正极接地,负极与一个固定容值电容C1连接,该固定容值电容C1的另一端接地;变容二极管的负极用细导线接出后,分别与扼流电感L1和限流电阻R1串联,同时与去耦电容C2并联接地。本发明结构简单,加工制作方便,相位随调谐电压连续可调,带宽较宽,传输损耗小,反射系数小,方便集成在电路中。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 变容二极管 集成 波导 连续 移相器 | ||
【主权项】:
一种基于变容二极管内埋的基片集成波导连续移相器,包括变容二极管、过渡结构、基片集成波导和外围电阻电容电感,其特征在于:在基片集成波导上沿电磁波传播方向加工两列共四个非金属化通孔,其中心构成一个长方形,长方形的中心与基片集成波导的物理中心重合;非金属化通孔中均内埋变容二极管,二极管正极接地,负极与一个固定容值电容C1连接,C1容值大于变容二极管容值100倍,该固定容值电容C1的另一端接地;变容二极管的负极用细导线接出后,分别与扼流电感L1和限流电阻R1串联,同时与去耦电容C2并联接地,单个变容二极管的电容可变范围为0.23pF‑1.46pF,等效串联电阻小于1Ω。
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