[发明专利]一种基于变容二极管内埋的基片集成波导连续移相器

权利要求书

1.一种基于变容二极管内埋的基片集成波导连续移相器，包括变容二极管、过渡结构、基片集成波导和外围电阻电容电感，其特征在于：在基片集成波导上沿电磁波传播方向加工两列共四个非金属化通孔，其中心构成一个长方形，长方形的中心与基片集成波导的物理中心重合；非金属化通孔中均内埋变容二极管，二极管正极接地，负极与一个固定容值电容C1连接，C1容值大于变容二极管容值100倍，该固定容值电容C1的另一端接地；变容二极管的负极用细导线接出后，分别与扼流电感L1和限流电阻R1串联，同时与去耦电容C2并联接地，单个变容二极管的电容可变范围为0.23pF-1.46pF，等效串联电阻小于1Ω。

2.如权利要求1所述基于变容二极管内埋的基片集成波导连续移相器，其特征在于：介质基片为RT/Duroid 4003c，相对介电常数为3.38，损耗角正切为0.0027，厚度为1.524mm，选用非金属化圆形通孔和圆柱型变容二极管，C1取1nF；

参数尺寸为：Wm＝3.409mm,Ltaper＝23mm,Wtaper＝10mm,Wsiw＝50.432mm,Lsiw＝70mm,Svp＝1.6mm,Dvp＝0.8mm,W1＝29.1mm,W2＝11.8mm,W3＝17.915mm,W4＝14.6mm；

其中Wm为微带线宽度，Ltaper为微带到SIW过渡结构的长度，Wtaper为过渡结构的最大宽度，Wsiw为SIW结构中金属化通孔的垂直距离，Lsiw为SIW结构的总长度，Svp为金属化通孔的孔间距，Dvp为金属化通孔的直径，W1为非金属化通孔与同侧基片集成波导的通孔的行距，W2为电磁波传播垂直方向相邻非金属化通孔的孔距，W3为非金属化通孔与同侧基片集成波导电磁波传播方向的边的距离，W4为电磁波传播方向相邻非金属化通孔的孔距。