[发明专利]鳍式场效应晶体管的结构和形成方法有效
| 申请号： | 201410800225.5 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN105304709B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 张简旭珂;林子凯;郑志成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件的结构和形成方法。该半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的鳍结构。该半导体器件也包括覆盖鳍结构的一部分的栅极堆叠件以及位于鳍结构上方并且邻近栅极堆叠件的外延生长的源极/漏极结构。该半导体器件还包括位于外延生长的源极/漏极结构上方的半导体保护层。半导体保护层的硅原子浓度大于外延生长的源极/漏极结构的硅原子浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n半导体衬底；/n鳍结构，位于所述半导体衬底上方；/n栅极堆叠件，覆盖所述鳍结构的一部分；/n外延生长的源极/漏极结构，位于所述鳍结构上方并且邻近所述栅极堆叠件；/n半导体保护层，位于所述外延生长的源极/漏极结构上方，其中，所述半导体保护层的硅原子浓度大于所述外延生长的源极/漏极结构的硅原子浓度；/n支撑元件，位于所述半导体保护层和所述半导体衬底之间并且覆盖所述外延生长的源极/漏极结构的下部；以及/n介电层，形成在所述外延生长的源极/漏极结构和所述半导体保护层上；/n接触孔，形成在所述介电层中，所述半导体保护层具有在俯视图中被所述接触孔暴露的上部和未被所述接触孔暴露的下部，并且所述上部薄于所述下部。/n
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