[发明专利]鳍式场效应晶体管的结构和形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

鳍结构，位于所述半导体衬底上方；

栅极堆叠件，覆盖所述鳍结构的一部分；

外延生长的源极/漏极结构，位于所述鳍结构上方并且邻近所述栅极堆叠件；

半导体保护层，位于所述外延生长的源极/漏极结构上方，其中，所述半导体保护层的硅原子浓度大于所述外延生长的源极/漏极结构的硅原子浓度；

支撑元件，位于所述半导体保护层和所述半导体衬底之间并且覆盖所述外延生长的源极/漏极结构的下部；以及

介电层，形成在所述外延生长的源极/漏极结构和所述半导体保护层上；

接触孔，形成在所述介电层中，所述半导体保护层具有在俯视图中被所述接触孔暴露的上部和未被所述接触孔暴露的下部，并且所述上部薄于所述下部。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体保护层与所述外延生长的源极/漏极结构直接接触。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体保护层由纯的硅材料制成。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体保护层的硅原子浓度在从50％至99％的范围内。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体保护层的硅原子浓度沿着从所述半导体保护层的表面朝向所述外延生长的源极/漏极结构的方向逐渐降低。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外延生长的源极/漏极结构是n型半导体材料。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外延生长的源极/漏极结构是p型半导体材料。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述支撑元件与所述外延生长的源极/漏极结构直接接触。

9.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

第一鳍结构，位于所述半导体衬底上方；

第一外延生长的源极/漏极结构，位于所述第一鳍结构上方；

第二鳍结构，位于所述半导体衬底上方；

第二外延生长的源极/漏极结构，位于所述第二鳍结构上方；

第一半导体保护层，位于所述第一外延生长的源极/漏极结构上方，其中，所述第一半导体保护层的硅原子浓度大于所述第一外延生长的源极/漏极结构的硅原子浓度；

第一支撑元件，位于所述第一半导体保护层和所述半导体衬底之间并且覆盖所述第一外延生长的源极/漏极结构的下部；

介电层，形成在所述第一外延生长的源极/漏极结构和所述第一半导体保护层上；

接触孔，形成在所述介电层中，所述第一半导体保护层具有在俯视图中被所述接触孔暴露的上部和未被所述接触孔暴露的下部，并且所述上部薄于所述下部；以及

第二半导体保护层，位于所述第二外延生长的源极/漏极结构上方，其中，所述第二半导体保护层的硅原子浓度大于所述第二外延生长的源极/漏极结构的硅原子浓度。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一半导体保护层和所述第二半导体保护层的至少一个由纯的硅材料制成。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一半导体保护层或所述第二半导体保护层的硅原子浓度在从50％至99％的范围内。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一半导体保护层的硅原子浓度沿着从所述第一半导体保护层的表面朝向所述第一外延生长的源极/漏极结构的方向逐渐降低。

13.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一外延生长的源极/漏极结构是n型半导体材料，而所述第二外延生长的源极/漏极结构是p型半导体材料。