[发明专利]一种PTFE高频金属基纳米复合材料电路基板的制作方法

摘要

一种PTFE高频金属基纳米复合材料电路基板的制作方法，包括（1）制作基板纳米复合介质层，采用PTFE粉和TiO2粉按一定比例进行混合并加入半固态纳米复合材料，复合介质材料置于模具中经高温压合形成基板纳米复合介质材料层；（2）制作PTFE分散液与玻璃布浸胶粘结片，然后高温烧结后制得玻璃布浸胶粘胶片；（3）制作PTFE高频金属基纳米复合材料电路基板将绝缘介质材料层设置在铜箔的上方后经高温环境带压加工压制成型；本发明的优点是：具有良好的强度和绝缘性能，制作成本低，适用钻孔、冲剪及切割等常规机械加工，降低加工成本，能承受机械和热应力，适用功率组件表面贴装SMT工艺，无需散热器，体积大大缩小，散热效果极好。

主权项

一种PTFE高频金属基纳米复合材料电路基板的制作方法，其特征在于，包括（1）制作基板纳米复合介质层，采用PTFE粉和TiO2粉按一定比例进行混合并加入半固态纳米复合材料，经球磨机高温球磨一段时间形成基板纳米复合介质材料，然后过将基板纳米复合介质材料置于模具中经高温压合形成基板纳米复合介质材料层；（2）制作PTFE分散液与玻璃布浸胶粘结片，选取玻璃纤维布放入PTFE树脂内经浸胶机进行预浸渍，然后高温烧结后制得玻璃布浸胶粘胶片；（3）制作PTFE高频金属基纳米复合材料电路基板，选取铜箔层，绝缘介质材料层，玻璃布浸胶粘结片，金属基材，将绝缘介质材料层设置在铜箔的上方，中间用玻璃布浸胶粘结片间隔并粘结，绝缘介质层上方为金属基板，中间用玻璃布浸胶粘结片间隔并粘结，最后经高温环境带压加工压制成型。