[发明专利]一种PTFE高频金属基纳米复合材料电路基板的制作方法

权利要求书

1.一种PTFE高频金属基纳米复合材料电路基板的制作方法，其特征在于，包括

（1）制作基板纳米复合介质层，采用PTFE粉和TiO2粉按一定比例进行混合并加入半固态纳米复合材料，经球磨机高温球磨一段时间形成基板纳米复合介质材料，然后过将基板纳米复合介质材料置于模具中经高温压合形成基板纳米复合介质材料层；

（2）制作PTFE分散液与玻璃布浸胶粘结片，选取玻璃纤维布放入PTFE树脂内经浸胶机进行预浸渍，然后高温烧结后制得玻璃布浸胶粘胶片；

（3）制作PTFE高频金属基纳米复合材料电路基板，选取铜箔层，绝缘介质材料层，玻璃布浸胶粘结片，金属基材，将绝缘介质材料层设置在铜箔的上方，中间用玻璃布浸胶粘结片间隔并粘结，绝缘介质层上方为金属基板，中间用玻璃布浸胶粘结片间隔并粘结，最后经高温环境带压加工压制成型。

2.根据权利要求1所述的一种PTFE高频金属基纳米复合材料电路基板的制作方法，其特征在于：所述步骤（1）中球磨机球磨时间为36小时，将基板纳米复合介质材料置于模具中经300℃温度压合形成基板纳米复合介质材料层。

3.根据权利要求1所述的一种PTFE高频金属基纳米复合材料电路基板的制作方法，其特征在于：所述步骤（2）中选取厚度小于0.03mm的玻璃纤维布放入PTFE树脂内经浸胶机进行预浸渍，然后在260℃高温烧结后制得所述的玻璃布浸胶粘胶片。

4.根据权利要求1所述的一种PTFE高频金属基纳米复合材料电路基板的制作方法，其特征在于：所述步骤（3）中铜箔层选用厚度为35um-280um的铜箔层。

5.根据权利要求1所述的一种PTFE高频金属基纳米复合材料电路基板的制作方法，其特征在于：所述步骤（3）中金属基基板的板材是铝、铝合金、铜、铜合金、不锈钢中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的一种PTFE高频金属基纳米复合材料电路基板的制作方法，其特征在于：所述步骤（3）中高温环境为300±10℃。