[发明专利]包括三耦合量子阱结构的光学设备有效
| 申请号： | 201410791118.0 | 申请日： | 2014-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104977770B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 赵龙哲;李用卓;罗炳勋;朴昌泳;周建佑;朴勇和 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;光州科学技术院 |
| 主分类号： | G02F1/17 | 分类号： | G02F1/17 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽;侯广 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光学设备，包括有源层，该有源层包括至少两个外部势垒以及被插入在所述至少两个外部势垒之间的至少一个耦合量子阱。每个耦合量子阱包括至少三个量子阱层以及分别被设置在所述至少三个量子阱层之间的至少两个耦合势垒。被布置在所述至少三个量子阱层的相对端部分处的两个量子阱层的厚度小于在被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层之间布置的其他量子阱层的厚度。被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层的带隙可以高于被布置在所述两个量子阱层之间的其他量子阱层的带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 耦合 量子 结构 光学 设备 | ||
【主权项】：
1.一种光学设备,包括:下反射层，以第一导电型掺杂剂掺杂；有源层，在该下反射层上，并且包括第一外部势垒、第二外部势垒以及第一外部势垒和第二外部势垒之间的第一耦合量子阱；以及上反射层，在该有源层上，并且以与第一导电型掺杂剂电性相反的第二导电型掺杂剂掺杂，其中，第一耦合量子阱包括第一量子阱层、第二量子阱层、第三量子阱层、设置在第一量子阱层和第二量子阱层之间的第一耦合势垒、以及设置在第二量子阱层和第三量子阱层之间的第二耦合势垒，第一量子阱层和第三量子阱层的厚度小于在第一量子阱层和第三量子阱层之间的第二量子阱层的厚度，并且第一量子阱层和第三量子阱层的能级高于第二量子阱层的能级。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社;光州科学技术院，未经三星电子株式会社;光州科学技术院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410791118.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
