[发明专利]包括三耦合量子阱结构的光学设备有效
| 申请号： | 201410791118.0 | 申请日： | 2014-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104977770B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 赵龙哲;李用卓;罗炳勋;朴昌泳;周建佑;朴勇和 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;光州科学技术院 |
| 主分类号： | G02F1/17 | 分类号： | G02F1/17 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽;侯广 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 耦合 量子 结构 光学 设备 | ||
1.一种光学设备,包括:
下反射层，以第一导电型掺杂剂掺杂；
有源层，在该下反射层上，并且包括第一外部势垒、第二外部势垒以及第一外部势垒和第二外部势垒之间的第一耦合量子阱；以及
上反射层，在该有源层上，并且以与第一导电型掺杂剂电性相反的第二导电型掺杂剂掺杂，
其中，第一耦合量子阱包括第一量子阱层、第二量子阱层、第三量子阱层、设置在第一量子阱层和第二量子阱层之间的第一耦合势垒、以及设置在第二量子阱层和第三量子阱层之间的第二耦合势垒，
第一量子阱层和第三量子阱层的厚度小于在第一量子阱层和第三量子阱层之间的第二量子阱层的厚度，并且
第一量子阱层和第三量子阱层的能级高于第二量子阱层的能级。
2.如权利要求1所述的光学设备，其中，第一和第二耦合势垒的能级高于地电平且低于第一和第二外部势垒的能级。
3.如权利要求1所述的光学设备，其中，第一和第二耦合势垒的厚度等于或小于第一和第三量子阱层的厚度。
4.如权利要求1所述的光学设备，其中，在850nm的波长内，第一和第三量子阱层包括AlzGa1-zAs，其中0<z<1，第二量子阱层包括GaAs ，第一和第二耦合势垒包括AlyGa1-yAs，其中z<y<1，并且第一和第二外部势垒包括AlxGa1-xAs，其中z<y<x≤1。
5.如权利要求1所述的光学设备，进一步包括衬底，其中，在900nm到1050nm的波长范围内，第一到第三量子阱层包括相对于该衬底具有压缩应变的材料，并且所述第一和第二外部势垒由相对于该衬底具有拉伸应变的材料形成。
6.如权利要求5所述的光学设备，其中，第一到第三量子阱层包括InxGa1-xAs，其中0.1≤x≤0.2，第一和第二耦合势垒包括GaAs，并且所述第一和第二外部势垒包括GaAs1-yPy或InyGa1-yP，其中0.4≤y≤0.5。
7.如权利要求1所述的光学设备，其中，第一到第三量子阱层包括In1-xGaxAs和In1-x-yGaxAlyAs的至少一个，第一和第二耦合势垒包括以下至少一个：In1-x'-y'Gax'Aly'As，其中x'<x且y<y'；以及In1-x'Gax'AszP1-z，其中x'<x，并且所述第一和第二外部势垒包括以下至少一个：In1-x-yGaxAlyAs，其中x<x'<x且y<y'<y；以及In1-xGaxAsz'P1-z'，其中x<x'<x且z<z'且0<x,z<1。
8.如权利要求1所述的光学设备，进一步包括该下反射层和该上反射层的至少一个中的至少一个微腔层，其中，当该光学设备的共振波长为λ时，该有源层和所述至少一个微腔的光学厚度为λ/2的整数倍。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社;光州科学技术院，未经三星电子株式会社;光州科学技术院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410791118.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
