[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410790105.1 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105762187B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;罗军;赵劼;赵超;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/535;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 11345 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：多个鳍片，在衬底上沿第一方向延伸；多个栅极堆叠和多个接触线条，在衬底上沿第二方向延伸并跨越多个鳍片；绝缘层，填充在多个栅极堆叠和多个接触线条之间；源漏区，在多个鳍片中、分布在多个栅极堆叠两侧；其中，相邻两个栅极堆叠之间有一个或多个接触线条，接触线条在源漏区上构成源漏接触。依照本发明的半导体器件及其制造方法，采用双重图形化工艺横跨鳍片结构形成间隔排列的牺牲栅极线条和牺牲源漏接触线条，通过选择性刻蚀分别依次去除两者而填充最终栅极和最终源漏接触，提高了源漏接触的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造方法，包括：/n在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；/n在衬底上形成沿第二方向延伸的多个牺牲栅极堆叠和多个牺牲接触堆叠，跨越多个鳍片，每个牺牲栅极堆叠和每个牺牲接触堆叠沿第一方向的宽度相等；/n在多个鳍片中、多个牺牲栅极堆叠的两侧形成源漏区；/n在多个牺牲栅极堆叠和多个牺牲接触堆叠之间形成绝缘层；/n选择性刻蚀去除多个牺牲栅极堆叠，在绝缘层中留下第一开口，在第一开口中填充多个栅极堆叠；/n选择性刻蚀去除多个牺牲接触堆叠，在绝缘层中留下第二开口，在第二开口中填充多个接触线条，多个栅极堆叠与多个接触线条之间没有额外的器件侧墙。/n
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