[发明专利]具有激光通孔和切口的栅极的阳极化

摘要

本发明涉及具有激光通孔和切口的栅极的阳极化，尤其涉及在有源矩阵的每个MOTFT中形成栅极电介质的方法，该方法包括，在基板上沉积栅极金属层并图案化栅极金属，以限定MOTFT矩阵，每个MOTFT含有栅电极，每一列中的所有栅电极由栅极金属线连接在一起，并且每一列中的线在一端处由栅极金属桥接部分连接到相邻的下一个列中的线。栅极金属被阳极化以形成栅极电介质材料层。半导体金属物氧化物层沉积在阳极化的栅极金属上，并被图案化以限定用于每个MOTFT的有源层。源极/漏电极形成在用于每个MOTFT的金属氧化物层上，并且，使用激光切断桥接部分，该桥接部分将每个栅极金属线电连接到相邻的下一个栅极金属线。

主权项

一种在有源矩阵的每个TFT中形成栅极电介质的方法，包括以下步骤：提供基板；在所述基板上沉积栅极金属层；图案化所述栅极金属，以限定在多行和多列中对准的TFT矩阵，每个TFT包括栅电极，其中，每一列中的所有栅电极由栅极金属线连接在一起，并且每一列中的所述栅极金属线在一端处由栅极金属桥接部分连接到相邻的下一列中的栅极金属线；阳极化所述栅极金属栅电极、所述栅极金属线和所述栅极金属桥接部分，该阳极化在所述栅极金属上形成了栅极电介质材料层；在图案化且阳极化的所述栅极金属上沉积半导体材料层，并图案化所述半导体材料层以限定用于所述TFT矩阵中的每个TFT的有源层；在用于所述TFT矩阵中的每个TFT的图案化的所述半导体材料层上形成源极/漏极金属电极，所述源极/漏极电极彼此间隔开，以部分地覆盖在每个TFT的所述有源层中限定的沟道区；以及使用激光，切断所述栅极金属桥接部分，所述栅极金属桥接部分将每个栅极金属线电连接到相邻的下一个栅极金属线。