[发明专利]具有激光通孔和切口的栅极的阳极化

权利要求书

1.一种在有源矩阵的每个TFT中形成栅极电介质的方法，包括以下步骤：

提供基板；

在所述基板上沉积栅极金属层；

图案化所述栅极金属，以限定在多行和多列中对准的TFT矩阵，每个TFT包括栅电极，其中，每一列中的所有栅电极由栅极金属线连接在一起，并且每一列中的所述栅极金属线在一端处由栅极金属桥接部分连接到相邻的下一列中的栅极金属线；

阳极化所述栅极金属栅电极、所述栅极金属线和所述栅极金属桥接部分，该阳极化在所述栅极金属上形成了栅极电介质材料层；

在图案化且阳极化的所述栅极金属上沉积半导体材料层，并图案化所述半导体材料层以限定用于所述TFT矩阵中的每个TFT的有源层；

在用于所述TFT矩阵中的每个TFT的图案化的所述半导体材料层上形成源极/漏极金属电极，所述源极/漏极电极彼此间隔开，以部分地覆盖在每个TFT的所述有源层中限定的沟道区；以及

使用激光，切断所述栅极金属桥接部分，所述栅极金属桥接部分将每个栅极金属线电连接到相邻的下一个栅极金属线。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积半导体材料层的步骤包括：沉积半导体金属氧化物层。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：在所述形成源极/漏极金属电极的步骤之前，在图案化的所述半导体材料层上沉积蚀刻停止材料层并图案化该蚀刻停止材料层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积栅极金属层的步骤包括：沉积含有铝的金属或金属合金。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：使用激光在所述有源矩阵的选定位置处形成贯穿所述栅极电介质材料层的通孔。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在形成源极/漏极金属电极的步骤之前或在所述形成源极/漏极金属电极的步骤之后执行所述使用激光形成通孔的步骤。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，使用激光形成所述通孔的步骤在所述形成源极/漏极金属电极的步骤之前，所述激光被照射在所述选定的位置处，并在所述选定的位置处使所述栅极金属部分地熔化，以使所述栅极电介质材料层破裂并暴露所述栅极金属。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，使用激光形成所述通孔的步骤在所述形成源极/漏极金属电极的步骤之后，所述激光被照射在所述选定的位置处，并在所述选定的位置处使所述源极/漏极金属以及下方的栅极金属部分地熔化，以使所述源极/漏极金属与栅极金属之间的所述栅极电介质材料层破裂并将所述源极/漏极金属和所述栅极金属连接。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有源矩阵电路被用在电子设备中。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述电子设备是显示设备、LCD设备、传感器阵列设备或图像阵列设备。

11.一种在有源矩阵的每个TFT中形成栅极电介质的方法，包括以下步骤：

提供基板；

在所述基板上沉积栅极金属层；

图案化所述栅极金属，以限定在多行和多列中对准的TFT矩阵，每个TFT包括栅电极，其中，每一列中的所有栅电极由栅极金属线连接在一起，并且每一列中的所述栅极金属线在一端处由栅极金属桥接部分连接到相邻的下一列中的栅极金属线；

阳极化所述栅极金属栅电极、所述栅极金属线和所述栅极金属桥接部分，该阳极化在所述栅极金属上形成了栅极电介质材料层；

在图案化且阳极化的所述栅极金属上沉积半导体材料层，并图案化所述半导体材料层以限定用于所述TFT矩阵中的每个TFT的有源层；

在图案化的所述半导体材料层上沉积蚀刻停止材料层，并图案化所述蚀刻停止层以形成一个部分，该部分在栅电极上方与栅电极重迭并限定所述TFT矩阵中的每个TFT中的沟道区；

在蚀刻停止材料的限定所述沟道区的所述部分上以及在每个TFT中的包覆半导体材料上沉积源极/漏极金属层，并图案化所述源极/漏极金属层以形成用于所述TFT矩阵中的每个TFT的源极/漏极金属电极，所述源极/漏极电极被彼此间隔开，以部分地覆盖每个TFT的有源层中的所述沟道区；以及

使用激光，切断所述栅极金属桥接部分，所述栅极金属桥接部分将每个栅极金属线电连接到相邻的下一个栅极金属线。