[发明专利]一种低铟透明电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201410783806.2 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104616719A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 刘敬权;潘东晓;钱锋 | 申请（专利权）人： | 青岛墨烯产业科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B1/08 | 分类号： | H01B1/08;H01B1/02;H01B13/00;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 266109 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料和光电子器件领域，具体涉及一种低铟透明电极及其制备方法。以磁控溅射镀膜仪为薄膜生长手段，通过衬底上初期生长缓冲籽晶层，以高导电率金属膜为导电层，辅以氧化铟锡层来匹配表面功函，通过膜层厚度设计达到对透明电极的光学和电学的调制。本发明的主要特点是通过引入ITO超薄层的设计，不仅大幅提高了电极整体的电导率，而且保持了原有ITO电极的表面结构和特性，从而更好地有机统一了此类材料的稳定性、透光性、以及导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透明 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低铟透明电极，其特征在于：以磁控溅射镀膜仪为薄膜生长手段，通过衬底上初期生长缓冲籽晶层，以高导电率金属膜为导电层，辅以氧化铟锡层来匹配表面功函，通过膜层厚度设计达到对透明电极的光学和电学的调制。
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