[发明专利]一种低铟透明电极及其制备方法

权利要求书

1.一种低铟透明电极，其特征在于：以磁控溅射镀膜仪为薄膜生长手段，通过衬底上初期生长缓冲籽晶层，以高导电率金属膜为导电层，辅以氧化铟锡层来匹配表面功函，通过膜层厚度设计达到对透明电极的光学和电学的调制。

2.根据权利要求1所述的低铟透明电极的制备方法，其特征在于：包括步骤：

1)、将衬底材料在溶剂中清洗后，氮气吹干，置入磁控溅射装载室；

2)、真空环境下，以烧结氧化物片作为靶材，以惰性气体作为沉积气氛，采用磁控溅射法射频溅射生长缓冲籽晶层；

3)、激活金属靶材的靶位，采用直流溅射生长导电层；

4)、激活相应ITO靶材的靶位，直流溅射生长。

3.根据权利要求2所述的低铟透明电极的制备方法，其特征在于：所述衬底材料为玻璃或塑料薄片，所述衬底温度为室温到低温区130度。

4.根据权利要求2或3所述的无铟透明电极的制备方法，其特征在于：

所述步骤1)中，溶剂为乙醇、丙酮中的一种或两种；

所述清洗方法为：在乙醇中超声波清洗10-20分钟，和/或，

在丙酮中超声波清洗10-20分钟。

5.根据权利要求2所述的低铟透明电极的制备方法，其特征在于：所述缓冲籽晶层为宽禁带氧化物薄膜，所述宽禁带氧化物薄膜为氧化钛、氧化硅、氧化锆、氧化铝、氧化钼、氧化锌和氧化镁中的任意一种。

6.根据权利要求5所述的低铟透明电极的制备方法，其特征在于：所述宽禁带氧化物薄膜厚度低于20纳米。

7.根据权利要求2所述的低铟透明电极的制备方法，其特征在于：所述高导电率金属膜的薄膜厚度低于10纳米。

8.根据权利要求2所述的低铟透明电极的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中，导电层的薄膜生长过程中的临界厚度低于8纳米，表面平整度小于2纳米。

9.根据权利要求2所述的低铟透明电极的制备方法，其特征在于：所述氧化铟锡层薄膜厚度为：25纳米≤氧化铟锡层薄膜厚度≤40纳米。

10.根据权利要求8所述的低铟透明电极的制备方法，其特征在于：所述步骤4)中，采用惰性气体和O₂作为沉积气氛，(惰性气体流量)/(O₂气体流量)＝20：(1～3)。