[发明专利]一种纳米结构的侧壁成形制造方法

摘要

本发明公开了一种纳米结构的侧壁成形制造方法，该方法可以人工制造任意尺寸和小于5nm的纳米点和线结构。低价的纳微米结构的制造方法：与传统的制造方法相比，“侧壁纳米结构成形”的方法，无需依赖昂贵的电子束曝光设备和高分辨率的深紫外光刻设备，做到低价的纳米结构产生方法，可广泛应用于纳米基础科学和应用研究和工业化生产中对纳微米结构制造的需求。宽的纳微米结构制造范围：因为侧壁纳米结构成形方法制备的纳微米结构取决于沉积的侧壁硬掩膜材料的厚度，这样利用这种方法可以制造任意尺寸的纳微米结构。

主权项

一种纳米结构的侧壁成形制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供衬底；步骤二、在所述衬底上沉积薄膜；步骤三、侧壁结构成形，具体为：301、在所述薄膜上采用匀胶机旋涂光刻胶，对光刻胶进行前烘；302、在光刻胶上采用磁控溅射、电子束蒸发、化学气相沉积厚度为5纳米~20纳米的金属或者氧化物材料；303、在所述金属或者氧化物材料上旋涂光刻胶，对光刻胶进行前烘后利用光刻机进行光刻，显影后采用去离子水清洗，并用氮气吹干得到垂直于金属或者氧化物材料的侧壁结构；304、采用反应离子刻蚀或者离子束刻蚀对金属或者氧化物材料进行刻蚀；305、以金属或者氧化物材料为掩膜，采用反应离子刻蚀对位于金属或者氧化物材料上面的光刻胶进行刻蚀，形成纳米条侧壁；步骤四、采用原子层沉积技术沉积硬掩膜纳米材料；步骤五、采用离子束刻蚀对硬掩膜纳米材料进行刻蚀，暴露光刻胶；步骤六、采用丙酮剥离光刻胶，以形成纳米侧壁图形；步骤七、以所述纳米侧壁图形为掩膜，采用离子束刻蚀薄膜；步骤八、采用湿法腐蚀或者化学气相沉积刻蚀硬掩膜材料得到薄膜材料的纳米条侧壁。