[发明专利]一种纳米结构的侧壁成形制造方法

权利要求书

1. 一种纳米结构的侧壁成形制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、提供衬底；

步骤二、在所述衬底上沉积薄膜；

步骤三、侧壁结构成形，具体为：

301、在所述薄膜上采用匀胶机旋涂光刻胶，对光刻胶进行前烘；

302、在光刻胶上采用磁控溅射、电子束蒸发、化学气相沉积厚度为5纳米~20纳米的金属或者氧化物材料；

303、在所述金属或者氧化物材料上旋涂光刻胶，对光刻胶进行前烘后利用光刻机进行光刻，显影后采用去离子水清洗，并用氮气吹干得到垂直于金属或者氧化物材料的侧壁结构；

304、采用反应离子刻蚀或者离子束刻蚀对金属或者氧化物材料进行刻蚀；

305、以金属或者氧化物材料为掩膜，采用反应离子刻蚀对位于金属或者氧化物材料上面的光刻胶进行刻蚀，形成纳米条侧壁；

步骤四、采用原子层沉积技术沉积硬掩膜纳米材料；

步骤五、采用离子束刻蚀对硬掩膜纳米材料进行刻蚀，暴露光刻胶；

步骤六、采用丙酮剥离光刻胶，以形成纳米侧壁图形；

步骤七、以所述纳米侧壁图形为掩膜，采用离子束刻蚀薄膜；

步骤八、采用湿法腐蚀或者化学气相沉积刻蚀硬掩膜材料得到薄膜材料的纳米条侧壁。

2.根据权利要求1所述的一种纳米结构的侧壁成形制造方法，其特征在于，所述硬掩膜材料为Al₂O₃或Si₃N₄或RuO或a-Carbon。

3.根据权利要求1所述的一种纳米结构的侧壁成形制造方法，其特征在于，所述步骤二中沉积薄膜的方法为磁控溅射或电子束蒸发或化学气相沉积或溶胶凝胶或喷涂法。

4.根据权利要求1所述的一种纳米结构的侧壁成形制造方法，其特征在于，所述步骤四中沉积硬掩膜纳米材料的方法为原子层沉积方法或化学气相沉积方法。

5.根据权利要求1所述的一种纳米结构的侧壁成形制造方法，其特征在于，步骤八之后还包括以下步骤：

步骤九、采用匀胶机在衬底及纳米条上旋涂光刻胶，前烘后利用光刻机进行光刻,显影后浸入到去离子水中清洗，并用氮气吹干得到垂直于衬底方向的侧壁结构；

步骤十、采用原子层沉积技术或化学气相沉积方法沉积硬掩膜材料；

步骤十一、暴露硬掩膜材料掩盖的光刻胶：利用离子束刻蚀对硬掩膜材料进行刻蚀，并暴露光刻胶；

步骤十二、采用丙酮剥离光刻胶，形成硬掩膜材料垂直于衬底方向的纳米线结构；

步骤十三、在薄膜材料上刻蚀，形成硬掩膜材料垂直于衬底方向的纳米线和薄膜材料的纳米点共存的纳米结构；

步骤十四、采用湿法腐蚀或者化学气相沉积刻蚀剥离掉硬掩膜材料，得到薄膜材料的纳米点侧壁。