[发明专利]含硅外延层的形成在审
| 申请号： | 201410771429.0 | 申请日： | 2007-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104599945A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 叶祉渊;安德鲁·拉姆;金以宽 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明是公开一种形成含硅的外延层的方法。具体的实施例是关于半导体器件(例如金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET)中的外延层的形成与处理。在具体的实施例中，外延层的形成包括将处理室中的基材暴露给沉积气体，沉积气体包括二或更多个硅源，例如硅烷及包含新戊硅烷的高阶硅烷。实施例包括在形成外延层的过程中流入掺质来源(例如磷掺质)，并在没有磷掺质的情况下，继续以硅源气体进行沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 形成 | ||
【主权项】：
一种在基材表面上外延地形成含硅材料的方法，所述方法包括：将包括单晶表面的基材置放在处理室中；将所述基材暴露给未掺杂的沉积气体，以在所述基材上形成第一未掺杂层，所述未掺杂的沉积气体包括硅源、碳源以及无掺质源；将所述基材依序地暴露给掺杂的沉积气体，以在所述单晶表面上形成外延层，其中所述掺杂的沉积气体实质上由n型或p型掺质源及载气组成；以及将所述基材暴露给蚀刻气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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