[发明专利]带有沟槽‑氧化物‑纳米管超级结的器件结构及制备方法

摘要

本发明提出了一种沉积在第一导电类型的半导体衬底上的半导体功率器件。该半导体衬底承载着一个第二导电类型的外延层，其中半导体功率器件就位于超级结结构上。该超级结结构包含从外延层中的顶面上打开的多个沟槽；其中每个沟槽的沟槽侧壁都用第一导电类型的第一外延层覆盖，以便中和第二导电类型的外延层的电荷。第二外延层可以生长在第一外延层上方。每个沟槽都在一个剩余的沟槽缝隙空间内，用非掺杂的电介质材料填充。每个沟槽侧壁都带有一个倾斜角，以构成会聚的U‑型沟槽。

主权项

一种带有沟槽‑氧化物‑纳米管超级结的器件结构的制备方法，其特征在于，包含：在第二导电类型的第二半导体层中刻蚀沟槽；在所述的沟槽中，生长一个第一导电类型的第一外延层，以及在所述的第一外延层上方，生长一个第二外延层；所述第一外延层的掺杂浓度，高于所述第二外延层的掺杂浓度；其中第一导电类型的第一半导体层位于所述的第二半导体层下方，并且其中所述的第一外延层触及第一半导体层；所述第一外延层与第二半导体层的邻近部分和第二外延层达到电荷平衡。