[发明专利]带有沟槽‑氧化物‑纳米管超级结的器件结构及制备方法

权利要求书

1.一种带有沟槽-氧化物-纳米管超级结的器件结构的制备方法，其特征在于，包含：

在第二导电类型的第二半导体层中刻蚀沟槽；

在所述的沟槽中，生长一个第一导电类型的第一外延层，以及

在所述的第一外延层上方，生长一个第二外延层；所述第一外延层的掺杂浓度，高于所述第二外延层的掺杂浓度；

其中第一导电类型的第一半导体层位于所述的第二半导体层下方，并且

其中所述的第一外延层触及第一半导体层；所述第一外延层与第二半导体层的邻近部分和第二外延层达到电荷平衡。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，生长第二外延层，使所述第二外延层充分填充沟槽的底部。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包含：生长所述第二外延层后，用电介质填充沟槽中剩余的缝隙。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，还包含：

用电介质填充沟槽中剩余的缝隙后，背部刻蚀电介质，并在至少一些沟槽的顶部中形成一个沟槽栅极电极。

5.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，还包含：

在刻蚀所述的沟槽时，同时刻蚀终止区中的沟槽，以便用留在介质填充沟槽之间的半导体台面结构，在终止区中形成介质填充沟槽的网络；并且

刻蚀掉终止区中的半导体台面结构，并用第二介质填充物填充空间，以便在终止区中形成一个又宽又深的电介质沟槽。