[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体存储装置及其制造方法，该半导体存储装置能够抑制编程动作时产生的漏电流，从而能够进行可靠性高的编程。本发明的闪速存储器具有存储器阵列，该存储器阵列形成有多个NAND型的串。多个串的行方向的多个存储单元的栅极共用地连接于字线，多个位线选择晶体管的栅极共用地连接于选择栅极线(SGD)，多个源极线选择晶体管的栅极共用地连接于选择栅极线(SGS)。选择栅极线(SGS)和与其邻接的字线(WL0)的栅极的间隔(S4)大于选择栅极线(SGD)和与其邻接的字线(WL7)的栅极的间隔(S1)。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括存储器阵列，上述存储器阵列包括：多个与非型的串，其中每一串包含：串联连接的多个存储单元；位线选择晶体管，连接于上述串联连接的多个存储单元的其中一端部；及源极线选择晶体管，连接于上述串联连接的多个存储单元的另一端部；多个字线，连接有多个串的行方向的多个存储单元的栅极；第一选择栅极线，连接有多个串的行方向的多个源极线选择晶体管的栅极；以及第二选择栅极线，连接有多个串的行方向的多个位线选择晶体管的栅极；其中，上述多个串中的任一串中，第一间隔大于第二间隔，所述第一间隔是源极线选择晶体管的栅极和与其邻接的字线的存储单元的栅极之间的间隔，所述第二间隔是位线选择晶体管的栅极和与其邻接的字线的存储单元的栅极之间的间隔，上述第一间隔为上述第二间隔的两倍。