[发明专利]一种去除碳化硅单晶中空微缺陷内部、及晶片表面有机污染物的方法

摘要

本发明提供了一种去除碳化硅单晶中空微缺陷内部、及晶片表面有机污染物的方法，该方法在真空反应腔内，在高温以及还原气体的氛围中，实现有机蜡在高温下的分解，同时，有机蜡分解产生的无机碳与还原气体产生化学反应，并生成新无机气相物质排除，从而实现彻底去除微管、微管道、六方坑洞、晶片表面等缺陷内部的有机蜡的目的。该方法可重复性好，处理成本低，在高温的作用下，碳化硅单晶内的原子会发生重构，可以降低单晶体应力。利用本发明方法在去除有机污染物的同时还有助于提高晶体表面质量及外延层质量。

主权项

一种去除碳化硅单晶中空微缺陷内部及晶片表面有机污染物的方法，其特征在于包括以下步骤：1)将待处理的碳化硅晶体置于密闭空间，对该空间抽真空至真空度为(1E‑2)～(1E‑5)Pa，保持5～15min，而后向该空间中通入载气至40～120Kpa，保持2～10min；2)而后对上述空间抽真空至真空度为(1E‑2)～(1E‑5)Pa，保持5～15min，取还原性气体与载气混合得到第一混合气，在该第一混合气中还原性气体的含量为5～100％(v/v)，而后向上述空间中通入该第一混合气至20～100Kpa，保持1～10min；3)而后对上述空间抽真空至真空度为(1E‑2)～(1E‑5)Pa，再加热至1000～1200℃，保持10～30min；4)取还原性气体与载气混合得到第二混合气，在该第二混合气中还原性气体的含量为5～100％(v/v)，而后向上述空间中通入该第二混合气至10～150Kpa，再加热至1200～1900℃，保持5～30min，而后抽真空；5)向上述空间中冲入载气至20～100Kpa，维持此压强冷却。